新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展

多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（ＣＭＰ）技术带来了
巨大的挑战，低ｋ介质的脆弱性难以承受传统ＣＭＰ技术所施加的机械力。一种结合了电化学和
机械平坦化技术的新颖铜平坦化工艺———电化学机械抛光（ＥＣＭＰ）应运而生，ＥＣＭＰ在很低的压
力下实现了对铜的平坦化，解决了多孔低介电常数介质的平坦化问题，被誉为未来半导体平坦化
技术的发展趋势之一。主要综述了电化学机械抛光技术的产生、原理、研究进展和展望，对铜的
ＥＣＭＰ技术进行了回顾和讨论。
关键词：化学机械抛光；铜互连；低介电常数；电化学机械抛光；平坦化技术；多孔