Transphorm发布240瓦电源适配器参考设计

意法半导体简化SiC逆变器设计，发布两款电源模块

什么是GAA FET（环绕栅极场效应晶体管）？

并联MOSFET应用中的均流技术

SiC VJFET的动态威廉希尔官方网站 模型

开关的导通电阻对传递函数有什么影响

Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON)导通电阻低至0.65 mW

英飞凌OptiMOS™ 6 100 V系列通过技术革新，为高开关频率应用树立全新行业标杆

Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET，以提高系统能效和功率密度

MOSFET的关键指标

科锐推出新型SiC功率模块产品系列——“Wolfspeed WolfPACK™

Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100V汽车级P沟道MOSFET

Vishay推出600V EF系列快速体二极管MOSFET，导通电阻比其前代器件低29%

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升开关和导通特性

英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET助力不同功率的工业电源实现最高效率

Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级，RDS(ON)和FOM达到业界出色水平，提高功率密度和效率

东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器

Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源

Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度

IGSS对栅极驱动漏电流的影响