GaN（氮化镓）器件由于具有诸如高开关速度，更高的功率密度和效率之类的能力而在设计电源转换器时变得越来越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一个缺点是电流损耗会导致电流崩溃。器件关闭和热电子
2021-03-22 12:42:23
8435 
已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管 （HEMT）的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 （MIS） 结构，2具有由电压驱动的低栅极漏电流，以及栅极注入晶体管 （GIT
2022-07-25 08:05:312595 
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器阶段提供的优势。
2022-07-27 14:03:561602 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 `Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2021-01-07 10:08:51
GaN功率转换器件的文件，但它仅建立了测试这些器件的开关可靠性的方法。 硅MOSFET与氮化镓HEMT的开关特性。图片由富士通提供克莱斯勒，福特和通用汽车在1990年代成立了汽车电子协会（AEC），以
2020-09-23 10:46:20
电机设计中对于GaN HEMT的使用GaN HEMT的电气特性使得工程师们选择它来设计更加紧凑、承受高压和高频的电动机，综上所述这类器件有如下优点：较高的击穿电压，允许使用更高（大于1000V
2019-07-16 00:27:49
。每个阶段都会对效率产生影响。这里，通过实现不同的威廉希尔官方网站
拓扑和较少的阶段来提高电力系统的效率。图2显示了这个问题的解决方案。PFC级拓扑结构随着可以在更高电压和更高速度下工作的GaN晶体管而改变。较高
2017-05-03 10:41:53
以及Class D半桥逆变测试，配套测试设备可实现对系统的效率监测以及GaN器件的温度监测。测试平台的威廉希尔官方网站
原理图如图2所示，对应系统的实物图如图3所示，该测试平台的驱动IC为Si8274，利用驱动IC
2023-06-25 15:59:21
进展[1~ 3] ，在国外工作于绿光到紫光可见光区内的GaN LED 早已实现了商业化[2]；国内多家单位成功制作了蓝色发光二极管，并初步实现了产业化[3]。而众多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Wolfspeed的CGHV96100F2是在碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 与其他技术相比，这种GaN内部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率
2021-01-07 09:56:31
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
安路 SALEAGLE® （以下简称 AL3）系列 FPGA 有 5 个器件，定位低成本、低功耗可编程市场。AL3 器件旨在用于大批量，成本敏感的应用，使系统设计师在降低成本的同时又能够满足不断增长
2022-10-27 07:58:23
块中包括了双向的I/O缓冲以及一些可编程的I/O特性功能，如施密特触发、上拉电阻和各种电平标准。I/O块的左右两侧各有2个GCLK管脚可用作全局时钟输入，这4个管脚输入的信号在器件内部具有低延时、高
2015-01-27 11:43:10
LTC2217手册上写的，模拟输入范围(AIN+减去AIN-)为2.75Vpp，正常的差分输入AIN+减去AIN-是有负值的，请问该器件AIN+减去AIN-为2.75Vpp到底是什么意思？
2023-12-05 06:27:56
`住友电工的GaN-HEMT为具有50V工作电压的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更宽的带宽，并为您提供了更高的增益。该器件的目标应用是高电压的低电流和宽带应用。高压操作
2021-03-30 11:37:49
Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 宽带无与伦比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 电源轨范围内运行。该器件采用行业标准
2021-08-04 11:50:58
和 AlGaN。AlGaN 材料对于紫外 (UV) 发射器和高电子迁移率晶体管 (HEMT) 结构很重要，因此已经在整个 Al 成分范围内研究了 AlGaN 光学特性。InGaN材料（In含量< 50
2021-07-08 13:08:32
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
介微波陶瓷主要是以AL2O3和AIN的应用，低介微波陶瓷基覆铜板用绝缘散热材料的理想性能是既要导热性能好，散热好，还要在高频微波作用下产生损耗尽量小。BeO陶瓷是目前陶瓷基覆铜板中绝缘散热的绝佳材料
2017-09-19 16:32:06
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:22 编辑
我现在 要使用AIN0-AIN3 做普通的ADC使用，而不是用作触屏ADC使用，修改drivers\staging\iio
2018-06-21 03:49:53
、磁性等或具有高强、高韧，高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、高热导、绝热或良好生物相容性等优异性能。氧化铝（Al2O3）陶瓷综合性能较好，目前应用最成熟。氧化铝（Al2O3）陶瓷原料丰富、价格低，强度、硬度高
2021-03-29 11:42:24
诸多应用难点，极高的开关速度容易引发振荡，过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压和极限栅源电压均明显低于 MOS鄄FET，在桥式拓扑的应用中容易发生误
2023-09-18 07:27:50
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，这在我的版本（ADS 2013）中没有。请提前帮助，谢谢。 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hello everyone! i am
2018-11-13 10:21:37
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去，PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
/BCB)上制作了CPW结构的传输线,通过仿真、测量、比较和分析其传输损耗特性得出Si/Al2O3/BCB多层薄膜复合结构衬底有效地降低了普通硅衬底的高频损耗(20GHz时CPW传输线的损耗为1.18dB
2010-04-24 09:02:35
是否有必要使用AIN2 / AIN3将AFR2设置为1？以上来自于谷歌翻译以下为原文 Is it necessary to set AFR2 to 1 using AIN2/AIN3 ?
2019-04-01 07:13:29
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
最近用ad7799做电子秤，如何选择AIN1/AIN2/AIN3通道。可以循环重复设置配置寄存器和模式寄存器，然后等待读取数据吗？我采用这种办法，用的单次转换模式，读出来的三个通道数据完全一样，纠结了。我感觉是单次转换，数据寄存器可以把数据保存很久而不丢失。还怎么解决？
2023-12-13 07:45:37
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
特性：可以看到，GaN和Si的热导率基本差异不大，但是GaN可以比Si能拥有更高的结温。因此，同时良好的热导率加上更高的热耐受力共同提升了器件的使用寿命和可靠性。GaN器件优越的性能也其器件结构有极
2021-12-01 13:33:21
锂电池用纳米氧化铝（Al2O3 VK-L30D）在锂离子电池充放电过程中，锂离子在正负极材料中反复嵌入与脱嵌，使LiCo02活性材料的结构在多次收缩和膨胀后发生改变，同时导致LiCoO2发生层间
2014-05-12 13:44:47
普通型氧化铝陶瓷系按Al2O3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，有时Al2O3含量在80％或75％者也划为斯利通普通氧化铝陶瓷系列。
2019-06-20 17:09:31
通过对阳极氧化多孔Al2O3 薄膜感湿材料的制备工艺及其电容湿敏特性进行研究,将阳极氧化参数对多孔Al2O3 薄膜的结构和形态的影响与多孔Al2O3 薄膜作为湿度传感器感湿材料的湿敏特
2009-06-22 11:24:50
13 蓝宝石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED衬底材料的选用比较
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用
2009-11-17 09:39:204932 金属氧化物膜湿敏元件的结构及特点
Fe2O3、Fe3O4、Cr2O3、Al2O3、Mg2O3及ZnO、TiO2，等金属氧化物的细粉，吸收水分后有极快的速干特性，
2009-11-30 09:37:52903 MIS器件,MIS器件是什么意思
以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以Si3N4
2010-03-04 16:01:241425 什么是MIS
金属－绝缘体－半导体（简写为 MIS）系统的三层结构如图1所示。如绝缘层采用氧化物,则称为金属-氧化物-半导体(简写为MOS)
2010-03-04 16:04:267890 Toshiba推出C-BAND SATCOM应用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，东芝美国电子元器件公司推出其功率放大器产品系列中的50W C频段氮化镓(GaN)半导体高电子迁移晶体管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:331757 松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，栅极电压高达10V，工作电流在20A，击穿电压达到730V。
2018-03-15 09:56:086681 
氮化镓太赫兹HEMT研究中，短沟道效应导致的跨导降低，将直接影响器件频率特性。尽管高铝组分与超薄势垒外延结构可以缓解短沟道效应带来的问题，但同时也引起了欧姆接触难以制备的问题。选区再生长n+GaN
2018-11-06 14:59:465836 EiceDRIVER。籍此我们梳理了一下GaN功率器件在全球市场、产品应用和技术特性方面的信息，以及英飞凌相关业务和此次量产产品的细节。
2018-12-06 18:06:214654 据外媒报道，韩国汉阳大学（Hanyang University）的一组研究人员利用非晶Al2O3实现石墨表面改良（surface modification of graphite），这是一种高效的方式，旨在提升锂离子电池石墨阳极材料的快充性能表现。
2019-03-25 14:53:55718 本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负漂移。该器件在强pinch-off和低漏源电压条件下偏置一定时间（反向栅极偏置应力），然后测量传输特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 基于温度步进应力实验，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现： 在结温为 139 ～ 200 ℃ 时，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。而按工艺分，GaN器件则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、 Power FET电力电子器件工艺两大类。
2020-07-27 10:26:001 本文将 3D 打印技术与注射成型工艺相结合用于 Al2O3 陶瓷坯体的快速成型，即采用注射成型的原理制备低粘度、高固相量、稳定均匀的热塑性 Al2O3 陶瓷浆料，通过 FDM 3D 打印成型技术制备
2020-07-13 08:00:000 GaN 基高电子迁移率场效应管（HEMT）在高频大功率器件方面具有突出的优势，并在其应用领域已取得重要进展，但GaN基HEMT器件大功率应用的最大挑战是其normally-on特性。对于传统
2020-09-21 09:53:013557 
在实际应用中，为实现失效安全的增强模式（E-mode）操作，科研人员广泛研究了基于凹槽栅结构的MIS栅、p-GaN regrowth栅增强型GaN HEMT器件。在实际的器件制备过程中，精确控制栅极凹槽刻蚀深度、减小凹槽界面态密度直接影响器件阈值电压均匀性
2020-10-09 14:18:508850 GaN-HEMT以高效率提供高射频输出功率而闻名。由于这些特性，这类晶体管可以显著改善微波到毫米波无线电通信和雷达系统的性能。这些HEMTs可用于气象雷达系统、监测和预报局地强降水，以及5G系统，提供毫米波段的通信。
2020-11-29 10:28:463061 
本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）结构的能带分布的变化与其电容-电压特性。 图 1 (a) MIS结构示意图 (b) MIS
2020-12-10 11:06:422984 
本周《涨知识啦》主要给大家介绍的是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）结构的能带分布的变化与其电容-电压特性。 图 1 (a) MIS结构示意图 (b) MIS
2020-12-10 11:09:445075 
工程师于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向导通，那到底有还是没有体二极管？
2021-03-15 09:41:078331 ，导致严重的热衰退（thermal droop）现象。 根据我司技术团队前期关于MIS结构的相关仿真结果可知，MIS型
2021-12-21 13:55:50555 
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-02-10 15:27:4318442 
GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——硅相比，具有更优异的物理性能，目前利用其高频特性的应用已经开始增加。
2022-04-06 16:33:031326 
作者研究了四个商用 GaN 器件在 400 K 和 4.2 K 之间的宽温度范围内的性能。据作者介绍，正如原始文章中所报道的，所有测试的器件都可以在低温下成功运行，性能整体有所提高。然而，不同的 GaN HEMT 技术意味着器件栅极控制的显着变化。
2022-07-25 09:20:28933 
Imec 展示了高性能肖特基势垒二极管和耗尽型 （d-mode） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 在基于 p 型氮化镓 （GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上开发的 on-SOI 智能功率集成威廉希尔官方网站
（IC） 平台。
2022-07-29 15:34:03837 虽然乍一看似乎比较简单，但这些器件的栅极驱动器威廉希尔官方网站
需要仔细设计。首先，通常关闭的基于 GaN 的 HEMT 需要负电压来将其关闭并将其保持在关闭状态，从而避免意外开启。
2022-07-29 09:27:171367 
已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，2具有由电压驱动的低栅极泄漏电流，以及栅极注入晶体管 (GIT
2022-07-29 09:19:44762 。基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有卓越的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT 晶体管在高功率密度电动机应用的功率和逆变器级中提供的优势。
2022-08-08 09:15:48816 
针对热效应机理和热电模型,我们将着重考虑热导率和饱和速率随晶格温度的变化。由于热电效应最直接的外部反映是就是直流I-V特性,因此这里主要模拟GaN HEMT器件的直流特性曲线。通过编写 Silvaco程序来模拟 GaN HEMT器件的特性曲线,再与实验曲线作对比,获得准确的模型参数。
2022-09-08 10:44:051571 ，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。
2022-09-19 09:33:211670 氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的电子迁移率、饱和电子速度和击穿电场，如图1所示。
2022-09-27 10:30:173330 GaN HEMT 模型初阶入门：非线性模型如何帮助进行 GaN PA 设计？（第一部分，共两部分）
2022-12-26 10:16:25805 
GaN功率HEMT设计+GaN宽带功率放大器设计
2023-01-30 14:17:44556 ，而特性更具有优势，因此电源厂商均计划导入GaN器件来实现下一代电源系统的迭代，在30W-100W的适配器应用中，QR反激因成本优势，占据了国内市场的半壁江山。基于GaN器件的QR反激，有助于减小开关损耗，可用于提高开关频率，增加功率密度。
2023-02-02 17:20:25836 
第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论，器件的工作温度、性能及可靠性有着极为密切的联系，因此准确检测GaN HEMT的温度就显得极为重要。
2023-02-13 09:27:521084 
的平带电压解析模型，然后考虑栅绝缘层和势垒层界面电荷对两个模型进行对比，提取出了MIS-HEMT和MOS-HEMT两种器件的有效界面电荷密度。
2023-02-13 09:33:581173 
C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。
2023-02-14 09:17:15943 
关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种器件结构的关态栅漏电曲线，漏极电压Vd设定在0V，反向栅极电压从0V扫描至-10V，正向栅电压扫描至5V。
2023-02-14 09:18:541887 
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、22nm AlGaN势垒层、及2nm GaN帽层，势垒层铝组分设定为30%。
2023-02-14 09:31:161496 
配对；Beo尽管具备出色的综合型能，但是其具有很高的产品成本和有毒的缺陷限制它项目研究。因此不论是特性、成本费、环保规定方面来讲AL2O3和Beo陶瓷早已无法满足电子器件电力电子器件发展和要求了，取代
2023-02-16 14:44:57924 
一款GaN HEMT内匹配功率放大器设计过程详解 张书源，钟世昌 发表于 2020-01-22 16:55:00 模拟技术 +关注 0 引言 近年来，宽禁带材料与微波功率器件发展非常迅猛。GaN材料
2023-02-17 09:52:430 氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表，具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性，是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN 外延材料的 质量决定了高电子迁移率
2023-02-20 11:47:22876 氧化铝有许多同质异晶体，例如α-Al2o3、β-Al2o3、γ-Al2o3等，其中以α-Al2o3的稳定性较高，其晶体结构紧密、物理性能与化学性能稳定，具有密度与机械强度较高的优势，在工业中的应用也较多。
2023-03-30 14:10:221079 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞800℃），第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 
GaN基功率开关器件能实现优异的电能转换效率和工作频率，得益于平面型AlGaN/GaN异质结构中高浓度、高迁移率的二维电子气（2DEG）。图1示出绝缘栅GaN基平面功率开关的核心器件增强型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本结构。
2023-04-29 16:50:00793 
GaN HEMT 为功率放大器设计者提供了对 LDMOS、GaAs 和 SiC 技术的许多改进。更有利的特性包括高电压操作、高击穿电压、功率密度高达 8W/mm、fT 高达 25 GHz 和低静态
2023-05-24 09:40:011375 
GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。
2023-05-25 15:14:061222 
最重要的器件之一，在功率器件和射频器件领域拥有广泛的应用前景。HEMT器件通常是在硅(Si)、蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)等异质衬底上通过金属有机气象外延(MOCVD)进行外延制备。由于异质
2023-06-14 14:00:551654 
速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。 为了能够实现对GaN HEMT功率器件动态特性进行精准测试，对应的测试系统往往需要 注意以下几
2023-07-17 18:45:02711 
摘要：研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件，并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度（1%，9000，8000，5000
2023-09-01 16:22:490 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:342704 
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化威廉希尔官方网站
和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11293 
了很多关注，由宽禁带半导体所制备的功率器件可作为具有低导通电阻的高压开关，可以取代硅功率器件。此外，宽禁带异质结场效应晶体管具有较高的载流子密度和二维电子气通道，以及较大的临界电场强度等物理特性，其中的氮化镓 (Gallium Nitride, GaN）已被认为可制备极佳的功率开关。
2023-11-09 11:26:43439 
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）是一种迅速崭露头角的高频功率器件，具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
2023-12-07 17:27:20337 报告内容包含：
微带WBG MMIC工艺
GaN HEMT 结构的生长
GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06:58178 
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:41667
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