在上期视频和文章中,我们介绍了汽车电子产品中和防反相关的各种复杂的脉冲测试,常见防反威廉希尔官方网站 的类型,以及采用 PMOS 做防反威廉希尔官方网站 设计时的缺点。
今天我们书接上回,继续防反威廉希尔官方网站 PMOS 的话题。本期为下篇。
在这一期中,我们将介绍采用 “NMOS + 驱动 IC” 的方案做防反威廉希尔官方网站 的设计及其优点。
所谓 “NMOS + 驱动 IC” 做防反设计,指的是将 NMOS 置于高边,驱动 IC 也从高边取电,内部产生一个高于 Vin 的电压,给 NMOS 提供 Vgs 驱动供电。
根据此驱动电源的产生原理,驱动 IC 可分为 Charge Pump(电荷泵)型和 Buck-Boost(升降压)型;
如下图所示,即为这两种方案的特点:
采用 Charge Pump 型的防反方案,整体 BOM 少,成本较低,适用于电流不大,追求高性价比的场合,比如汽车 USB-PD 大功率充电模块等。
采用 Buck-Boost 型的防反方案,IC 的驱动能力强,EMC 性能好,适用于大电流,追求高性能的场合,比如汽车各类域控制器,汽车音响系统等;
下面我们详细介绍一下这两种驱动 IC 的工作原理。
如下图所示,这是一个采用电荷泵做 NMOS 驱动的简单工作原理。
在 CLK 周期内,先令 S1/S2 导通,将内部相对于地的电压源电压给 C0 充电,然后令 S3/S4 导通,将电容 C0 上的电压给电容 C1 充电。C0 是小电容,充放电速度快,C1 是大电容,负载能力强,因此通过频繁地开关 S1/2 和 S3/4,就能不断地将 C0 上的电荷搬运到 C1 上,而 C1 的负端连接电池电压,因此我们就得到高于电池的电压,用来给 NMOS 的门极做驱动。
如下图所示,这是一个采用 Buck-Boost 拓扑的 NMOS 驱动的简单工作原理。
这种 Buck-Boost 拓扑是将功率 MOS 置于 Low Side 的 Buck-Boost 拓扑。
当 Buck-Boost 的 MOS 管 S_bst 导通时,输入电压通过电感储能,电感电压上正下负;
当 Buck-Boost 的 MOS 管 S_bst 关断时,电感通过二极管释放能量,电感电压上负下正,给电容 C1 充电;
这样我们就能在 C1 上获得高于电池的电压,用来给 NMOS 的门极做驱动了。
之前有提到,采用Buck-Boost型防反驱动IC具有更好的性能优势,这又是为何呢?
这种优势主要体现在如下两点:
优势一
Buck-Boost 型防反驱动 IC 具有更大的驱动电流能力,能更快的响应输入各种扰动。
我们用输入叠加高频交流纹波脉冲举例说明。
上图是输入叠加100kHz,峰峰值2V条件下的实测波形;紫红色是输入防反 MOSFET 的 SOURCE 极电压,浅蓝色是经过防反 MOSFET 的 DRAIN 极电压,红色是 MOSFET 驱动 Vgs 电压,绿色是负载电流。
可以看到,驱动 IC 实时监测 NMOS 的漏极和源极。输入电压和源极电压一致,系统电压和漏极电压一致。当源极电压低于漏极电压,即输入电压低于系统电压时,关闭 MOSFET 驱动,体二极管实现防反功能,防止电容电流反灌;当源极电压高于漏极电压,即输入电压高于系统电压时,导通 MOSFET 驱动,避免体二极管导通,影响效率。
如果采用电荷泵型防反驱动,由于其驱动电流能力不强,在输入电压快速波动时,容易产生门极驱动脉冲丢失或者常开的异常现象。
下图是实测采用电荷泵型防反驱动的波形,黄色是防反 MOSFET 的输入SOURCE 极电压,红色是 MOSFET 的输出 DRAIN 极电压,绿色是 MOSFET 的驱动 Vgs,蓝色是负载电流。
在门极驱动脉冲丢失的时间内,MOS 无驱动,体二极管导通,存在巨大热损耗,同时在下一次开通瞬间,存在较大的充电电流尖峰;
在门极驱动脉冲常开的时间内,MOS 常通,电解电容反复充放电,导致发热严重。
优势二
Buck-Boost 型防反驱动 IC 具有更好的 EMC 性能。
可能有工程师会质疑,采用 Buck-Boost 这种开关电源拓扑,是否会有 EMC 的问题呢?
其实恰恰相反,电荷泵虽然没有电感,但它是电容式开关电源,电荷泵由于效率低,所以需要很高的工作频率。一般而言,芯片内部集成的电容容值不大,是 pF 级,而芯片外用于给 NMOS 做驱动的电容,需要容值较大,是 uF 级。这样我们的 Charge Pump 开关频率不可避免在10M以上,而这样的高频,就有可能带来 EMI 的潜在威胁。
采用 Buck-Boost 拓扑的防反驱动,其效率远高于电荷泵拓扑。且这类驱动 IC 内部一般采用定峰值电流控制模式,这种模式在负载越轻的时候,开关频率越低。因此,Buck-Boost 拓扑的防反驱动具有更好的 EMC 性能。
如下图所示,右边是 MPS 最新推出的采用 Buck-Boost 型拓扑的防反驱动 IC,MPQ5850,其 EMC 测试结果能完美通过国标等级5的测试。
关于汽车电子产品中防反威廉希尔官方网站 的设计,现在你应该了解了吧。
原文标题:MPS 电源小课堂第三季第二话:防反威廉希尔官方网站 一定要用 PMOS 吗?(下)
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