东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性,因此与标准系统相比,它们集成了更多的器件,需要更多的表贴空间。所以,要进一步缩小汽车设备的尺寸,需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用东芝的新型S-TOGLTM封装(7.0mm×8.44mm[1]),其特点是采用无接线柱结构,将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。
与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM(W)封装产品[2]相比,S-TOGLTM封装与东芝U-MOS IX-H工艺相结合,可实现导通电阻显著降低11%。与TO-220SM(W)封装相比,新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外,采用新型封装的产品可提供200A漏极额定电流,高于东芝类似尺寸的DPAK+封装(6.5mm×9.5mm[1])产品,从而实现了大电流。总体而言,S-TOGLTM封装可实现高密度和紧凑布局,缩小汽车设备的尺寸,并有助于实现高散热。
由于汽车设备可能在极端温度环境下工作,因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGLTM封装采用鸥翼式引脚,可降低表贴应力,提高焊点的可靠性。
当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品,从而减小特性偏差。
东芝将继续扩展其功率半导体产品线,并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。
应用
特性
- 新型S-TOGLTM封装:7.0mm×8.44mm(典型值)
- 高额定漏极电流:
XPJR6604PB:ID=200A
XPJ1R004PB:ID=160A
- AEC-Q101认证
- 提供IATF 16949/PPAP[4]
- 低导通电阻:
XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53mΩ(典型值)(VGS=10V)
XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8mΩ(典型值)(VGS=10V)
主要规格
注:
[1] 典型封装尺寸,包括引脚。
[2] TKR74F04PB采用TO-220SM(W)封装。
[3] 东芝可以提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。
[4] 请联系东芝销售代表了解更多信息。
审核编辑:汤梓红
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