金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前最受关注的晶体管。
MOSFET有两种类型:N沟道(参见下图3-4(a)N沟道)和P沟道(参见下图3-4(b)P沟道)。
N沟道广泛用于AC/DC电源、DC/DC转换器、逆变器设备等,而P沟道则用于负载开关、高边开关等。
双极晶体管和MOSFET之间的差异如表3-1所示。
图3-4(a)N沟道MOSFET的符号和操作
图3-4(b)P沟道MOSFET的符号和操作
表3-1 BJT和MOSFET的比较
文章来源:东芝半导体
审核编辑:汤梓红
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7162浏览量
213254 -
半导体
+关注
关注
334文章
27349浏览量
218511 -
晶体管
+关注
关注
77文章
9688浏览量
138157
发布评论请先 登录
相关推荐
MOSFET场效应晶体管设计基础
MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transi
发表于 07-11 10:56
•2951次阅读
场效应晶体管的分类及作用
场效应晶体管(英语:field-effecttransistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性
发表于 05-08 09:26
MOSFET和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变
在本文中,我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成威廉希尔官方网站
使用更多晶体管。 平面与三维 (3D) 平面MOSFET
发表于 02-24 15:20
什么是鳍式场效应晶体管?鳍式场效应晶体管有哪些优缺点?
FinFET成为它们的替代品。鳍式场效应晶体管比平面 MOSFET 更好地阻断短通道效应,从而实现晶体管缩放。 平面设计不会超出 30 nm 的栅极长度。栅极
发表于 02-24 15:25
MOSFET半导体场效应晶体管的使用注意事项
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是金属-氧化物-半导体场效应晶体
发表于 03-08 14:13
了解金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产品说明书,第4部分 —— 脉冲电流额定值
了解金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产品说明书,第4部分 —— 脉冲电流额定值
发表于 11-04 09:51
•0次下载
N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表
电子发烧友网站提供《N通道NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 数据表.pdf》资料免费下载
发表于 03-28 15:43
•0次下载
带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压器TPS5405数据表
电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压器TPS5405数据表.pdf》资料免费下载
发表于 04-11 10:57
•0次下载
带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管TPS65270数据表
电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管TPS65270数据表.pdf》资料免费下载
发表于 04-11 11:22
•0次下载
带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的非同步降压稳压器数据表
电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的非同步降压稳压器数据表.pdf》资料免费下载
发表于 04-25 10:03
•0次下载
带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压器TPS5403数据表
电子发烧友网站提供《带有集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的非同步降压稳压器TPS5403数据表.pdf》资料免费下载
发表于 04-25 09:57
•0次下载
评论