IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效威廉希尔官方网站
如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。
2024-03-13 11:46:21
107 
型号和规格，以确保其稳定、高效地工作。IGBT的选型涉及到多个参数的考虑，下面将详细介绍这些参数。 额定电压（Vce）：这是指IGBT能够承受的最大电压。根据应用需求，选择的IGBT型号的额定电压应大于应用中最高电压。 额定电流（Ic）：这是指IGBT能够承受的最大连续电流。根据应用需求，选择的
2024-03-12 15:31:12253 在电子元件领域不断创新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。这款新型热敏电阻以其宽阻值范围、高电压处理能力和高能量吸收能力，为汽车和工业应用中的有源充放电威廉希尔官方网站
带来了显著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半导体及组件制造商Vishay宣布推出五款新型半桥IGBT功率模块，这些模块采用了经过改良设计的INT-A-PAK封装。新款产品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 Vishay近期发布五款新型半桥IGBT功率模块，其改良设计的INT-A-PAK封装备受瞩目。这五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均运用Vishay领先
2024-03-08 11:45:51266 日前，Vishay 推出新系列浪涌限流正温度系数（PTC）热敏电阻。Vishay BCcomponents PTCEL 系列器件 25 °C（R25）条件下阻值范围宽，具有高电压处理和高能量吸收能力，
2024-03-08 11:34:20293 
日前，Vishay 推出五款采用改良设计的 INT-A-PAK 封装新型半桥 IGBT 功率模块。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 组成
2024-03-08 09:15:18177 
的CE电压在到达最高点时刻之前，会有一个小尖峰，就是会先有一个极点然后再到达最大值，请问这是什么原因？是IGBT的驱动引起的还是其他什么原因，请具体解释？
2024-02-21 20:12:42
IGBT的栅极电压与管子允许的短路时间是什么关系？ IGBT是一种集成了晶体管和MOSFET技术的功率电子器件。它的主要功能是将低电平信号转换为高电压、高电流能力的输出信号。在工业控制和电源
2024-02-20 11:00:57204 什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导通压降和高开关速度等优点
2024-02-19 14:33:28472 聊聊什么是IGBT的膝电压？ IGBT是一种半导体器件，常用于功率放大和电流控制应用。作为一种开关器件，IGBT能够在低驱动电压下实现较高的电流和电压控制能力。膝电压是其关键的特性之一，本文将对
2024-02-03 16:23:43286 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有异质结的管子功率特性。IGBT也是一个开关器件，可以在高电压和高电流条件下工作，并且被广泛应用于各种电力电子设备中。 IGBT由三个主要区域组成
2024-02-01 13:59:45447 Vishay威世科技日前宣布，其光电子产品部推出了一款全集成超小型接近传感器——VCNL36828P。这款传感器专为提高消费类电子应用的效率和性能而设计。
2024-01-29 10:21:38283 。
产品特征
l 内置150V高压MOS
l 宽压8V-120V输入范围
l 支持输出电压最低可调至3.3V
l 典型的1.5A持续电流及4A峰值瞬间电流
l 转换效率最高可达95%
l 超低的待机功耗
2024-01-26 14:13:26
MOS管在DCDC恒压/恒流威廉希尔官方网站
中扮演着重要的角色。DCDC恒压威廉希尔官方网站
用于将一个直流电源的电压转换为另一个恒定的电压输出。DCDC恒流威廉希尔官方网站
则用于将一个直流电源的电流转换为另一个恒定的电流输出。
MOS
2024-01-20 15:30:35
舞台灯电源的PFC与LLC线路，推荐使用多层外延超结MOS系列，具有低导通电阻，提升功率密度，有效降低电源威廉希尔官方网站
开关损耗，提高整个电源系统的效率
2024-01-17 17:31:28126 
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2024-01-17 17:09:45150 
电压和电流对电源滤波器是否具有影响？ 电压和电流是电源滤波器中的两个重要参数，它们对电源滤波器有着直接的影响。本文将详细介绍电压和电流对电源滤波器的影响，并探讨它们之间的实际关系。 1. 电压对电源
2024-01-11 16:38:30234 转眼2024年的第一个周末了，也许只有到了隆冬，我们才会知道，我们身上有着一个不可战胜的夏天。之前在聊到特斯拉减少75% SiC用量的话题时，我们聊了Hybrid(Si IGBT+SiC MOS
2024-01-07 09:35:17432 
使用LTC3112，输入3.3V，输出3.8V0.7A，怎么设计才能使电源转换效率最高？有没有仿真工具软件可以在设计过程中仿真转换效率和输出纹波等参数？
2024-01-04 08:03:57
使用LTC4359，做负载开关控制，要具有防反充功能和完全断开电压功能，问题如下：
1.资料里写明输入最高电压100V，可我需要输入电压DC400V，下图是我的设计方案，这样用有问题吗？
我不确定
2024-01-04 07:31:47
功率器件在储能变流器(PCS)上的应用，双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器，推荐瑞森半导体IGBT系列。
2024-01-03 13:41:09310 
功率器件在储能变流器(PCS)上的应用，双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器，推荐瑞森半导体IGBT系列。
2024-01-03 11:44:30240 
。 首先，让我们了解一下这两种器件的简单工作原理。MOS管，即金属氧化物半导体场效应晶体管，由金属栅、氧化物绝缘层和半导体基底构成。通过在金属栅上施加电压来控制半导体中的电流。而IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种混合的MOS管和双极型晶体
2023-12-19 09:25:161744 MOS管在5G电源上的应用——PFC线路、Fly back线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列，同步整流线路推荐低压SGT MOS系列。
2023-12-18 10:26:43161 
MOS管在5G电源上的应用——PFC线路、Fly back线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列，同步整流线图推荐低压SGT MOS系列。
2023-12-18 10:06:17198 
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
2023-12-18 09:40:221150 
、详实、细致的比较分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率电子领域的半导体器件。它们的主要区别在于结构和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一种由金属氧化物绝缘体（MOS）构成的双极性晶体管。它由源极、漏极和栅极组成。在MOSFET中，源极和漏极之间的电流由栅极的电压控制
2023-12-15 15:25:35366 IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的简称，中文称作绝缘栅双极型晶体管，是由BJT (双极型三极管) 和MOS (绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
2023-12-12 09:54:34659 
SL9008是一款内置MOS管、具有PWM调光功能的LED降压恒流芯片，适用于3.6-60V的输入电压范围。它采用了先进的威廉希尔官方网站
设计，确保了高效率和长寿命，同时具有宽电压输入范围和优异的负载调整率
2023-12-11 15:52:12
IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？
2023-12-08 16:55:30455 
Vishay 推出五款新型 10 MBd 低功耗高速光耦，有助于工业应用节能。
2023-12-08 09:27:10394 
Transistor）是两种常见的功率开关器件，用于电力电子应用中的高电压和高电流的控制。虽然它们都是晶体管的一种，但在结构、特性和应用方面有很大的区别。本文将详细介绍IGBT和MOS管的区别。 首先
2023-12-07 17:19:38785 上一章讲到了IGBT的饱和电流，与MOS的饱和电流之间存在图片的倍数关系，这使得IGBT饱和电流比MOS大很多。
2023-12-01 10:20:11307 
分析IGBT，一般可以采用两种模型，一种是简化的“PIN+MOS”模型，一种是更切合实际的“PNP+MOS”模型，前者逻辑分析简单
2023-11-30 17:00:48519 
在推导MOS的IV特性时，我们通过建立了电阻R和电压V之间的关系，从而消除欧姆定律中的电阻R，得到电流与电压之间的关系，但这里所讨论的电阻仅仅是沟道电阻。
2023-11-29 15:09:43494 
分析完阈值电压的机制后，下面我们重点分析一下MOS器件的电压、电流与阈值电压之间的关系。
2023-11-29 14:42:33997 
MOS之所以能够以电压控制，并起到开关的作用，正是由于上述反型层的机制
2023-11-29 14:19:08778 
在“IGBT中的若干PN结”一章中我们提到，IGBT是由BJT（双极型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）所构成
2023-11-29 14:08:04547 
电子发烧友网站提供《ADuM4135：提供米勒箝位的单电源/双电源 高电压隔离IGBT栅极驱动器.pdf》资料免费下载
2023-11-29 09:37:15
4 承受所需的功率和电流。一般来说，功率较大的直流稳压电源需要选择功率较高的MOS管，以确保其正常工作。 2.电压能力：MOS管的耐压能力也是选择的重要考虑因素之一。直流稳压电源中，输出电压通常比输入电压高，因此选择的MOS管需要具备足够的耐压能
2023-11-16 14:39:26481 、高效率、高可靠性等优点，被广泛应用于各种电源、电机控制、电力转换等领域。本文将介绍一款具有内置MOS管、电流能力2.5A、耐压40V的SL3061芯片，并探讨其是否可以替代芯龙XL1509系列。
一
2023-11-13 15:24:19
Abracon 超级电容
Supercapacitor
Abracon推出全新的5.5V 纽扣式超级电容和电压高达7.5V EDLC串联超级电容器模组。相比现有的2.7V和3V 超级电容
2023-11-06 14:18:58
是一款支持宽电压输入的开关降压型DC-DC，芯片内置100V/5A功率MOS，最高输入电压90V。SL3036具有低待机功耗、高效率、低纹波、优异的母线电压调整率和负载调整率等特性。支持大电流输出，输出
2023-10-25 17:45:15
。 MOS管为什么需要电源启动？ MOS管是一种主动元件，需要在威廉希尔官方网站
中特定的工作环境下才能正常工作，否则将无法实现所需的功能。所以，为了确保MOS管在工作时能够正常运行，必须通过电源的启动来确保MOS管引脚接收到正确的电压信号。只有在发
2023-10-24 10:11:04716 IGBT在控制极上加正电压可以控制导通，电压为0时可以让其关断，那么加一个反压呢？IGBT会是什么情况？ 关于IGBT在控制极上加反压的情况，我们需要探讨IGBT的结构、工作原理以及反压对其产生
2023-10-19 17:08:11860 IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT。
2023-10-18 10:28:072717 
，推出了系列化的满足工业应用、消费电子、新能源的IGBT模块，模块电压涵盖600V～1700V，电流等级涵盖10A ～ 800A。公司IGBT产品可广泛应用于白色家电、逆变焊机、工业变频、感应
2023-10-16 11:00:14
体，IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。 与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。 0****1 **什么是IGBT ** IGBT是绝缘栅双极晶体管的简称，是一种三端半导体开关器件，可用于多种
2023-10-16 10:28:541213 
反激式电源MOS管漏极开机瞬间尖峰电压很大，如何解决？
本电源设计输入范围直流30V---700V，输出电压11V/100mA，反射电压80v，实测变压器漏感<15uH
以下波形测试
2023-10-09 23:06:47
的控制要求。
2、IGBT驱动IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动威廉希尔官方网站
分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用负压关断可以避免因米勒电容
2023-10-07 17:00:40
AH8788A是一款集成同步开关的降压转换器，提供解决方案适用于车载充电器、快充适配器和智能排插。AH8788A内置功率MOS，输入电压范围为9.6V到32V，输出电压范围为3V到12V，-大可
2023-09-27 11:07:50
ACDC电源模块的原边MOS管漏极尖峰电压很高，在AC输入270V下尖峰高达600多伏。
我调整了一下RCD威廉希尔官方网站
，比如增大原来的470pf电容到1.88nf，继续增大尖峰就不再下降了，电阻从150k
2023-09-22 11:20:23
MOS管在服务器电源上的应用——PFC与全桥式LLC威廉希尔官方网站
，推荐瑞森半导体-超结MOS系列；DC/DC同步整流SR线路，推荐瑞森半导体-低压MOS系列。
2023-09-21 11:25:57546 
MOS管中的横向BJT的基极电压是哪里来的？ MOS管中的横向BJT是一种重要的结构，它能够起到放大信号的作用，也被广泛应用于逻辑威廉希尔官方网站
中。对于MOS管中的横向BJT来说，其基极电压对于整个结构
2023-09-18 18:20:42691 怎么选择MOS管的尺寸大小和电压？ MOS管是现代电子威廉希尔官方网站
中应用最广泛的一种电子元件，其应用范围涉及到许多领域，比如说电源管理、信号处理、开关控制等等。而在选择MOS管的时候，尺寸大小和电压是我们
2023-09-17 16:44:492458 IGBT器件栅极电压波形振荡的原因？
2023-09-16 08:32:131710 
意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 近年来，新型功率开关器件IGBT(图1)已逐渐被人们所认识，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(图2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41907 
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的驱动电压降低可能会受到以下因素的影响
2023-09-05 09:48:15618 TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 双透镜TSMP95000和单透镜TSMP96000及TSMP98000具有调制载波输出功能，适用于代码学习应用，供电电压范围2.0 V至5.5
2023-09-04 15:31:00463 
MOS开启电压一般为多少？ MOS（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见而重要的半导体器件。在电子行业中，MOS被广泛应用于威廉希尔官方网站
设计、功率放大、数字信号处理、高速数据传输和电子设备控制等方面
2023-09-02 11:14:045913 等性能，被广泛应用于音频、视频、通讯、电源等领域。 MOS管是一种半导体器件，包括源极、栅极、漏极三个电极。其工作原理是通过栅极施加电压，控制源漏流的大小，从而实现信号放大或开关控制。当栅极施加电压时，会形成电场，控制电荷的移动
2023-09-02 10:05:211757 igbt和mos管的区别 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:013217 设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650V。
特性
•650V无芯变压器隔离驱动器IC
•轨到轨输出
•保护功能
•浮动高侧驱动
•双通道欠压锁定
•3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
管型号大全，供读者参考。 1. IRF510: 这是一款N沟道MOS场效应管，主要应用于低电压、低功率的开关电源中。其最大漏极电压为100V，最大漏电流为5.6A，可靠性高、性价比较高。 2. IRF540: 这也是一款N沟道MOS管，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于
2023-08-18 14:35:337571 在 IGBT驱动电源板 中有着广泛的应用。 IGBT驱动板是控制系统和开关器件中的中间环节，承担着接受控制系统信号并传输信号，确保IGBT执行开关、保护、和反馈器件工作状态的重任。 通常，IGBT驱动板由IGBT驱动芯片、驱动外围威廉希尔官方网站
、驱动辅
2023-08-04 17:35:03609 如图，MOS管刚启动时波形会从5V降到3点多V，后面慢慢又会升回正常的5V，请问是什么原因导致电压掉落的？我MOS管就驱动一个电机。
2023-08-01 11:02:55
输入电压：1000V,输出12V/2A
要把此电源做成反激电源，用碳化硅MOS来驱动的话，请问去驱动IC用哪个？要怎么处理？有专门的IC吗？
2023-07-31 17:36:47
IGBT是双极型三极管和MOS管结合在一起的产物，双极型三极管具有低频（10KHz以下）大电流能力，MOSFET具有高频（100KHz以上）小电流特点。
2023-07-13 11:03:24268 
MOSFET和IGBT均为集成在单片硅上的固态半导体器件，且都属于电压控制器件。
2023-07-07 09:15:451486 
。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT，满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。这些器件有助于提高电源转换和电机驱动应用中的功率密度，包括工业电机驱动（例如
2023-07-05 16:34:291053 在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。
2023-07-01 16:06:29492 
IGBT的VGE的耐压值为±20V，在IGBT模块上加出了超出耐压值的电压的场合，由于会导致损坏的危险，因而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压，这点请注意。
2023-06-30 09:19:221150 当MOS管关断之后，在DCM工作条件下的Vds电压变化展示如下图所示，在波形的中段位置Vds=Vor+Vin，其中Vin是开关电源的输入电压，而Vor就是反射电压。
2023-06-25 15:15:232990 
虽然MOS管名义上是压控器件，只要栅极的电压超过其阈值就会控制MOS管导通。
2023-06-25 14:49:24759 
摘要：CM3003是一款高性价比的MOS管和IGBT管栅极驱动器芯片，具有逻辑信号输入处理、欠压保护、电平位移、脉冲滤波和输出驱动等功能。该芯片适用于无刷电机控制器和电源DC-DC中的驱动威廉希尔官方网站
2023-06-08 14:32:41706 
引言：MOS管开关威廉希尔官方网站
在分立设计里面应用非常广泛，包括逻辑控制，电源切换，负载开关等，在一些威廉希尔官方网站
巧妙设计上具有非常大的创新性。以下威廉希尔官方网站
均以使用增强型MOS为示例。MOS驱动威廉希尔官方网站
的基本要求包括：对栅极施加足够高于Vth的电压的能力，以及对输入电容进行足够充电的驱动能力，本节介绍MOS的驱动威廉希尔官方网站
示例。
2023-06-08 11:55:599243 
摘要：前两天同学做了一个威廉希尔官方网站
，功能就是用MOS管来控制一个电源的开关,但是做出来后发现不能用控制MOS管的开关，MOS管一直处于导通状态。一起来看看到底是什么原因？
2023-06-06 10:36:522845 
mos管漏极电压8V,栅极电压9V，仍低于源极12V电压，持续导通。现威廉希尔官方网站
板出现故障后，栅极电压上升很快，达到11.7V，mos管截止，造成漏极无电压输出，达不到输出供电效果。请教大神们讲解下此威廉希尔官方网站
原理，最有可能出错的地方？mos管和运放经过单独验证，是正常的
2023-06-05 22:50:12
PL30502是宝砾微电子推出的20V同步升压转换器，内置栅极驱动器，可断开负载。 PL30502集成了两个低导通电阻功率FET：一个7mΩ的开关FET和一个7mΩ的整流FET。PL30502
2023-05-30 14:54:09
一般情况下，常见的IGBT主要定义的是其正向阻断电压，而反向阻断电压一般不会在Datasheet中被提及到，这是因为IGBT通常会反并联续流二极管
2023-05-25 17:21:031068 
IGBT导通后，电源1000V，电阻100Ω，仿真出威廉希尔官方网站
电流10A（如图1、图2），这个没问题。但电源1000V，电阻10Ω，仿真出电流为什么不是100A（如图3、图4）？是IGBT引起的吗？
图1
图2
图3
图4
2023-05-25 11:47:38
MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，被广泛应用于各种电子威廉希尔官方网站
，是车载充电机、DC-DC变换器和模块电源中重要的电子元器件。
2023-05-22 08:59:39700 
和PD3.1PHY，支持PD3.1、BC1.2规范、UFCS以及多种主流的DPDM快充协议。最高可支持32V电压输入和输出。主要应用于笔记本电脑、显示器、移动电源、快充适配器等领域。2.规格•系统控制C
2023-05-18 22:49:2529 MOS管和IGBT管作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，被广泛应用于各种电子威廉希尔官方网站
，是车载充电机、DC-DC变换器和模块电源中重要的电子元器件。
2023-05-18 16:32:20585 
igbt在电动汽车上的作用 IGBT是一种由控制威廉希尔官方网站
控制、是否导电的半导体；由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件；IGBT使电源品质好、效率高
2023-05-17 15:15:191316 igbt和mos管的优缺点 在电子威廉希尔官方网站
中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些威廉希尔官方网站
用MOS管？而有些威廉希尔官方网站
2023-05-17 15:11:541041 在开关电源里MOS导通时D—S之间的电压为什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
便携式储能电源MOS管应用，主逆变储能单元，推荐“平面高压MOS”系列；DC-DC单元，推荐“低压MOS-SGT”系列
2023-04-27 10:13:57397 
便携式储能电源MOS管应用，主逆变储能单元，推荐“平面高压MOS”系列；DC-DC单元，推荐“低压MOS-SGT”系列
2023-04-27 09:00:51554 
初步的了解了以上的关于MOS管的一些知识后，一般的就可以简单的分析，采用MOS管开关电源的威廉希尔官方网站
了。
2023-03-27 13:54:154040 概述OC5802L 是一款支持宽电压输入的开关降压型 DC-DC，芯片内置 60V/5A 功率 MOS，支持最高输入电压 55V。OC5802L 具有低待机功耗、高效率、低纹波、优异的母线电压调整率
2023-03-24 11:35:11
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