电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 电子发烧友网站提供《双P沟道增强型mosfet TPS1120数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:19:010 电子发烧友网站提供《单P沟道增强型mosfet TPS1100数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:13:590 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《60 V，双N沟道沟槽MOSFET 2N7002AKS-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 13:57:090 电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:240 电子发烧友网站提供《60 V，P沟道沟槽MOSFET BUK9D120-60P数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:02:240 1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间
2024-01-30 11:51:42
1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压
2024-01-30 11:38:27
电子发烧友网站提供《NCE N沟道增强型功率MOSFET NCE3010S数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-24 11:06:590 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
2024-01-19 15:31:54218 与工作原理 功率MOSFET主要由四层结构组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）、源极（Source）和氧化层（Oxide）。栅极与源极之间有一层绝缘的氧化层，漏极与源极之间有一层导电沟道。当栅极施加正向电压时，会在氧化层下方形成一个导电通道，使漏极和
2024-01-17 17:24:36294 
电子发烧友网站提供《60 V，N沟道沟槽MOSFET BSS138AK-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 10:20:460 电子发烧友网站提供《60 V，N沟道沟槽MOSFET BSS138AKW-Q数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 10:11:070 。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
电子发烧友网站提供《60 V，N沟道沟槽MOSFET BXK9Q29-60A英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-04 14:22:260 电子发烧友网站提供《1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:28:290 型号：SI4559EY-T1-E3-VB丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N+P沟道- 额定电压：±60V- 最大连续电流：6.5A (N沟道) / -5A (P沟道
2023-12-22 10:50:18
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压：-1.42V- 封装：SOP8**详细参数说明：**SI4425BDY-T1-E3-VB是一款P沟道MOSFET，最大
2023-12-20 11:46:33
电子发烧友网站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520 电子发烧友网站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:36:290 型号：SI9407BDY-T1-GE3-VB丝印：VBA2658品牌：VBsemi参数说明：- **P沟道：** 该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如
2023-12-18 17:29:51
根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 SI4413DY-T1-E3-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：** VBA2311
2023-12-18 17:08:07
型号：SI1555DL-T1-GE3-VB丝印：VBK5213N品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：N+P沟道MOSFET- 额定电压（Vds）：±20V- 额定电流（Id）：2.5A (N
2023-12-13 15:33:24
Ω @2.5V，15Vgs（±V）；-0.6～-2Vth(V)；SOP8应用简介：SI9424DY-T1-E3-VB是一款P沟道功率MOSFET器件，适用于多种领域的电子
2023-12-13 15:28:40
电压范围：20Vgs (±V)阈值电压：-1.37V；封装：SOP8应用简介：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P沟道MOSFET，适用于中
2023-12-13 10:26:00
应用简介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。由于其低导通电阻（RDS(ON)），能有效降低导通损耗，在需要高效能转换
2023-12-13 10:11:37
：SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的威廉希尔官方网站
。常用于电池供电设备、小型电子设备等
2023-12-09 15:05:38
。应用简介：SI2323CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。适用领域与模块：适用于电源开关、
2023-12-09 15:03:33
。应用简介：SI2319CDS-T1-GE3适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。优势与适用领域：具有低导通电阻，
2023-12-09 15:02:20
：SOT23。应用简介：SI2305ADS-T1-GE3是一款中功率P沟道MOSFET，适用于功率开关、逆变器和电源管理等应用。其能够处理适中的功率需求。优势与适用领域：具
2023-12-09 14:55:59
(±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23应用简介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。其低
2023-12-09 14:50:12
(±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23应用简介：SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。
2023-12-09 14:48:47
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 
高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
2023-11-24 14:57:39195 
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
请问：CMOS管的功耗与MOS管的导电沟道的关系？
2023-11-20 07:01:20
型号 SI6913DQ-T1-GE3-VB丝印 VBC6P3033品牌 VBsemi参数 沟道类型 P沟道 额定电压
2023-11-15 11:48:58
型号 SI2301ADS-T1-GE3-VB丝印 VB2290品牌 VBsemi详细参数说明 沟道类型 P沟道
2023-11-13 17:04:42
电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15638 
型号 SI4401DDYT1GE3丝印 VBA2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 11A 导通电阻 13mΩ@10V, 17m
2023-11-06 11:15:08
Ω @ 10V, 56mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V) 阈值电压 1V 封装类型 SOT23详细参数说明 SI2323DDST1GE3是一款P沟道MOS管，适用
2023-11-06 11:02:58
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大威廉希尔官方网站
中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23293 
型号 SI2369DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ@10V, 56m
2023-11-02 10:57:13
Si1553CDLT1GE3详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 2.5A (N沟道), 1.5A (P沟道) 导通电阻 130mΩ @ 4.5V (N沟道
2023-11-02 10:26:43
型号 SI2307DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS)
2023-11-02 09:13:48
型号 SI3911DVT1GE3丝印 VB4290品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个P沟道MOSFET 最大耐压 20V 最大电流 4A 导通电阻 75mΩ @4.5V
2023-11-01 15:46:24
) 阈值电压 1Vth (V) 封装类型 SOT23应用简介 SI2319DST1GE3是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和
2023-11-01 11:30:21
功率MOSFET选型的几点经验在此，根据学到的理论知识和实际经验，和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的，这里不作赘述，只对实际
2023-10-26 08:02:47373 
和小功率MOSFET类似，功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 众所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 
Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说，MOSFET更适合高频开关应用，而IGBT更适合高功率应用。
2023-10-17 14:46:401025 
在过去的十几年中，大功率场效应管引发了电源工业的革命，而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
电子发烧友网站提供《BUK4D50-30P P沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:35:370 电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《BUK6D16-30E N沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:43:170 电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压，但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy]，流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
SLH60R028E7是一款600VN沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要
2023-08-18 08:32:56513 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
这是600W MOSFET功率放大器的威廉希尔官方网站
图。该威廉希尔官方网站
将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器威廉希尔官方网站
仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450，即可为您提
2023-07-28 17:04:191357 
一般说明SI4606采用先进的沟槽技术，以提供优良的活性氧（导通），低栅极电荷栅极电压低至4.5V的操作。该装置适用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。 深圳市奥科迪科技有限公司
2023-07-05 17:37:140 功率MOSFET的类型：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。当栅极电压为零时，有导电通道和增强型。对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零，功率MOSFET主要是N沟道增强。
2023-07-04 16:50:23881 
在H桥威廉希尔官方网站
中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS威廉希尔官方网站
的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
HY1908D/U/V N沟道增强型MOSFET规格书免费下载。
2023-06-14 17:04:041 PTS4842 N沟道高功率MOSFET规格书
PTS4842采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。并且切换速度快，传输效率提高。这些特征结合在一起，使这种设计成为一种适用于各种DC-DC应用的高效可靠的设备。
2023-06-14 16:55:480 *附件：power1.pdf
遇到一个电源板无法供电故障，此电源威廉希尔官方网站
采用P沟道MOS限流保护设计。正常启动时Q14栅极上电慢，低于源极，MOS管导通，经过后级U9基准和U27运放组成恒压源威廉希尔官方网站
，限制
2023-06-05 22:50:12
借助 n 沟道和 p 沟道 MOSFET，您可以轻松地实现单刀双掷 （SPDT） 开关，以隔离威廉希尔官方网站
的一部分，并在威廉希尔官方网站
其余部分关闭时从次级电源为其供电，以便待机工作 （图1 ）。通过使用互补对，您可
2023-05-31 17:49:243200 
。与其他类型的晶体管相比，MOSFET具有更高的功率密度，这是一个明显的优势。此外，与BJT（双极结型晶体管）相比，MOSFET需要最少的输入电流来控制负载电流。
2023-05-24 11:19:06720 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道
2023-05-22 11:11:391173 Boost升压威廉希尔官方网站
，DC60-DC72大功率用于电动车增速使用，MOSFET管烧坏导致短路，这种管子网上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
MOSFET(MOS管)中的“开关”时间可以改变电压吗？
2023-05-16 14:26:16
功率MOSFET怎样关断？能否用PWM实现？怎样实现？
2023-05-08 16:16:27
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动威廉希尔官方网站
，该威廉希尔官方网站
可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动威廉希尔官方网站
。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
SI8274DB1-IS1
2023-04-06 23:31:58
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32727 MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
2023-03-28 22:18:09
H8499KBDA
2023-03-28 14:56:43
SI8273DB-IS1R
2023-03-28 13:53:18
LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45514
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