关于IR2104搭建的驱动威廉希尔官方网站 的几个问题

引用: MUF420 发表于 2018-4-20 18:11
第一个问题，压降3v是正常的，mos管就是这样的，压降和你mos管的型号有关系，首先压降一定会有，这和mos内部的结电容和寄生二极管有关，其次如果你想要压降小一些可以换mos管型号。
第二个问题，你都测试了哪些容值得电容？ ...

引用: MUF420 发表于 2018-4-20 18:11
第一个问题，压降3v是正常的，mos管就是这样的，压降和你mos管的型号有关系，首先压降一定会有，这和mos内部的结电容和寄生二极管有关，其次如果你想要压降小一些可以换mos管型号。
第二个问题，你都测试了哪些容值得电容？ ...

引用: 王栋春 发表于 2018-4-20 21:05
第一个问题是由于mos管自身的管压降所造成的 这个数值可以认定为正常范围之内

引用: 王栋春 发表于 2018-4-20 21:04
第二个问题 楼主换的电容数值都是多大的  测试参数都是那些

引用: 王栋春 发表于 2018-4-20 21:04
第二个问题 楼主换的电容数值都是多大的  测试参数都是那些

引用: 就举国 发表于 2018-4-21 08:14
47nf，110nf,220nf

引用: 王栋春 发表于 2018-4-21 12:50
我的英语水平简直是没水平，楼主还是借助翻译软件看看吧

引用: 就举国 发表于 2018-4-21 12:53
那我想问下nmos管如果不能完全导通是否也会产生压降

引用: 王栋春 发表于 2018-4-21 13:17
这是必然的了

引用: MUF420 发表于 2018-4-21 20:26
这个就是，datasheet里没有明确给出压降，而是给导通电阻大小的，datasheet里只有这两种情况的，通过电流不变为20A，电阻一直在变化，单位mW就是mΩ，两个相乘就是压降，你需要根据你的给的驱动电压来大概判断一下。

引用: 就举国 发表于 2018-4-21 21:32
那么我想问下现在我的自举威廉希尔官方网站 部分无论怎么更换电阻，HO和VS之间的电压始终只有3v，是因为我的芯片最多能提供三伏的升压吗

引用: 慵懒的瞄 发表于 2018-4-22 01:08
ho应该是mos管栅极控制电压，vs应该是自举升压后的电压，他们之间的电势差应该是提升的电压吧。

引用: 不过丶尔尔 发表于 2018-4-24 20:36
想问一下各位大佬，2104的高端电压始终无法拉低，上电的时候Ho口电压从10多V降到5V左右就不会下降了，低端电压正常，急求.........感谢各位大佬