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STM32通过三极管控制MOS管通断

功能:STM32io输出高电平,三极管导通,A点为0V,MOS管导通,在MOS的D极测得12V。STM32io输出低电平,三极管截止,A点为5V,MOS管关闭,在MOS的D极测得0V。这个威廉希尔官方网站 对吗?
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回帖(16)

李桂英

2018-11-2 14:07:26
错了,不过只需要修改一个地方就对了,把A点那个1K电阻接到电压从5V改为12V,线路就完全对了
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王玲

2018-11-2 14:07:38
威廉希尔官方网站 是对的。
不过,100欧电阻似乎小了一点,三极管集电极上1千欧电阻也似乎小了一点。
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刘秀英

2018-11-2 14:08:22
谢谢您的回复,我更新了一下原理图,MOS管应该是5V的通断,不是12V,您看这回原理图对吗? 7.png
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刘秀英

2018-11-2 14:09:51
您好,谢谢回复,三极管电阻该大些可以吗?
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刘秀英

2018-11-2 14:10:40
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张健

2018-11-2 14:11:00
你的是5V供电啊,怎么出来12V了。威廉希尔官方网站 控制没问题,电阻参数稍微改下就可以
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刘秀英

2018-11-2 14:11:28
MOS管是5V的通断,三极管的发射极也是5V,这样才能控制MOS通断,MOS那里我写成12V了,现在都改为5V了 ,您看一下这样没问题吧?
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王玲

2018-11-2 14:11:47
这样电阻可能又大了些。
三极管基极到STM32引脚、基极到地和集电极到5V电源,2千欧比较合适。
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李桂英

2018-11-2 14:12:12
如果你只是普通的开关,而不是高速的PWM,这里1K做栅极负载完全够了。
供电如果都是5V,那么非常肯定的告诉你,线路完全可以用。
如果从设计角度求全责备的话,NPN管基极串联的电阻小了点,只是驱动一个1K的负载,串联电阻10K足够,因为MOS门输出低电平足够低,因此你完全不需要那个1K的下拉电阻,单片机输出串联一个10K直接驱动NPN,然后驱动PMOS管开关负载。AO3401,75mΩ,4A  SOT-23,这就够了。
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李华

2018-11-2 14:12:26
你的MOS管G极需要连接一个对地电阻,因为G极内部阻抗无限大,但是介质厚度很薄,所以可能导致在G极有过电压时(静电)很容易损坏MOS管,连接对地电阻后,积累的电荷可以很快泄放,也能增加MOS管开启速度。。
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刘秀英

2018-11-2 14:12:43
前辈,您好,集电极那个1K的电阻太小了是基于什么考虑呢?谢谢!
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王玲

2018-11-2 14:13:01
主要考虑两项:
1、耗电。该电阻中电流在三极管导通时大约为5mA。因为MOS管直流输入电阻非常大,通常驱动MOS管不必这么大电流。
2、MOS管导通和截止转换速度。如果要求MOS管从导通到截止(关断)时间很短(例如开关电源中),那么该电阻就必须较小(该电阻与MOS管输入电容构成RC威廉希尔官方网站 )。
但从首帖图中看,MOS管是控制5V直流电源用,不要求很快的速度,所以首帖三极管集电极上电阻完全可以大一些
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陈敏

2018-11-2 14:14:01
涨知识了  
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刘秀英

2018-11-2 14:14:13
分析的很详细,谢谢!
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白日梦想家

2019-3-18 17:36:28
分析得好,学习了
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peter112608

2019-8-30 22:34:17
给你个建议,目前威廉希尔官方网站 结构不变的情况下,兼顾稳定性和可靠性,电阻从左到右的阻值分别为1K,100K、10K
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