如何判断MOS管品质优劣的诀窍

2019-4-16 11:20:05 2162 MOS管

0 `MOS管又叫场效应晶体管，是电子行业最常见普遍的一种保护器件，其中MOS管在威廉希尔官方网站中是为配件提供稳定电压的，通常用于开关电源中，由于价格实惠，性能稳定，迅速成为电子行业的“新宠”，但是随着电子行业的飞速发展，生产制造MOS管的厂家也如雨后春笋般涌现出来，使得MOS管的市场瞬间变得火热起来，可是同样也出现了一个令采购人员头疼的问题，那就是如何在纷繁复杂的MOS管市场，去判断MOS管品质的优劣，看完下面一文，相信你会豁然开朗。一、在威廉希尔官方网站中我们将MOS管的正负极分为N沟道和P沟道，而主板中通常都是N沟道，N沟道MOS管一般我们的测量方法如下：（1）黑表笔接D红表笔接S 有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调：红笔接D黑笔接S 万用表显示"1"，一般这样我们就可以认为管子是好的。（2）红黑表笔对调测量G 与D 、S除了黑笔接D 红笔接S有阻值以外~其他的接法都没有阻值！如果测量到某种接法阻值为"0"这时使用用镊子或表笔短接两脚放电~ 然后再测量！二、MOS管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）三、MOS管威廉希尔官方网站工做原理： MOS管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小, MOS管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,,反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vp表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+\|Vgs\|,这里\|Vgs\|是Vgs的绝对值.见输入输出特性。四、结型场效应管：结场型场直流输入电阻可达10^6~~~~10^9欧姆，工做原理栅源电压Ugs控制漏极电源iD。此图为N道沟，结场型场效应管。S源极、D漏极、G栅极（控制极）从结型场效应管的结构可看出，我们在D、S间加上电压UDS，则在源极和漏极之间形成电流ID。我们通过改变栅极和源极的反向电压UGS，则可以改变两个PN结阻档层(耗尽层)的宽度。由于栅极区是高掺杂区，所以阻挡层主要降在沟道区。故\|UGS\|的改变，会引起沟道宽度的变化，其沟道电阻也随之而变，从而改变了漏极电流ID。如\|UGS\|上升，则沟道变窄，电阻增加，ID下降。反之亦然。所以改变UGS的大小，可以控制漏极电流。这是场效应管工作的基本原理。五、结型场应管的特点： (1) 是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态 (2) 结型栅场效应管应用的威廉希尔官方网站可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的威廉希尔官方网站不能用结型栅场效应管代。 ` 1
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