随着现代技术的发展, 功率放大器已成为无线
通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代
半导体材料碳化硅( SiC) , 具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和
电子漂移速率、化学性能稳定以及抗辐射等优点, 特别适合制造高温、高频、高功率和抗辐射的功率器件。用宽禁带半导体制成的高温、高频和大功率微波器件可以明显改善雷达、电子对抗系统以及通信系统等众多电子信息系统的性能。已有文献报道采用SiC 功率器件制作了宽带脉冲功率放大器, 并进行了性能测试和环境试验, 证实了SiC 功率器件可靠性较高、环境适应能力较强等特点。