关于nmos开关管的问题

会有影响的 一般情况下 Mosfet的阈值电压在4V左右  具体的还是需要看具体的手册  GS 两端的电压4V -10V 这个范围的时候 Rdson变化比较明显，在10V-12V 期间变化微乎其微   所以Vgs电压一般设置在12V比较合理  此地在设计上考虑的不是很全面 光耦上啦的10K的电阻  在电池没有损耗的情况下 48V/10K =4.8ma    在损耗一的情况下 电压越来越小   电流就越来越小   当达到临界点的时候 Mosfet有可能有关断了 此时负载断开     电压回升   电流也就回升   又开始导通  -》电压跌落 -》电流减小-》 Mosfet关断   会有这个零界点的存在 需要考虑

坐等大神解答

略有影响但是影响应该比较小，具体的话需要参考器件规格书上的相关参数自己看下，一般会给出几种典型电压的导通电阻，你可以算下会不会超过MOS管的PD

可见威廉希尔官方网站 中包含着快速释放MOS管栅极电荷的愿望。
但是，输入信号高电平时，PNP8550 不具备可靠导通的条件，故不能起到快速释放MOS管栅极电荷的作用。

你第一个NPN的三极管能导通么？