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如图所示，我用nmos做开关管，通过锂电池供电，随着电池电量损耗，栅极电压会从14v到8v变化，保证mos管一直导通，我想知道，栅极电压变化会不会影响mos管的导通特性？电池电压为48v，负载电流比较大
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5个回答
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会有影响的 一般情况下 Mosfet的阈值电压在4V左右 具体的还是需要看具体的手册 GS 两端的电压4V -10V 这个范围的时候 Rdson变化比较明显，在10V-12V 期间变化微乎其微 所以Vgs电压一般设置在12V比较合理 此地在设计上考虑的不是很全面 光耦上啦的10K的电阻 在电池没有损耗的情况下 48V/10K =4.8ma 在损耗一的情况下 电压越来越小 电流就越来越小 当达到临界点的时候 Mosfet有可能有关断了 此时负载断开 电压回升 电流也就回升 又开始导通 -》电压跌落 -》电流减小-》 Mosfet关断 会有这个零界点的存在 需要考虑
最佳答案
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坐等大神解答
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略有影响但是影响应该比较小，具体的话需要参考器件规格书上的相关参数自己看下，一般会给出几种典型电压的导通电阻，你可以算下会不会超过MOS管的PD
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可见威廉希尔官方网站
中包含着快速释放MOS管栅极电荷的愿望。
但是，输入信号高电平时，PNP8550 不具备可靠导通的条件，故不能起到快速释放MOS管栅极电荷的作用。 |
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你第一个NPN的三极管能导通么？
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