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张程明

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低压MOS管体二极管反向击穿电压

低压MOS管体二极管反向击穿电压
  • QQ图片20200115170231.png

回帖(3)

xiaxingxing

2020-1-16 11:24:03
低压MOS管的反向耐压确实比较低,AO3401,DS间的反向耐压只有30V,而GS间的反向耐压更低。
三极管也是一样的,一般VCBO>VCEO。
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  • 张程明: G的控制电压会串到S或者D吗
  • 张程明: 只要信号电压小于Diode Forward Voltage ,同时电流小于IDS,就可以互换S和D是吗

飞翔的傻蛋

2020-1-16 18:54:08
你关注二极管的反向耐压值没用,MOS管内的二极管一般都是MOS生产过程中寄生而成,说白了也是和MOS管原理一样是沟道,理论上来讲是和MOS管本身耐压值是差不多的,不过你关注这个没用,只要关注MOS管本身的耐压值就够了,MOS管都被击穿了,你要这个寄生的二极管也没用
3 举报

437341

2020-1-17 08:36:40
MOS内部二极管开关速度慢 如果用在较高频率 还是需要外面并联快速或是超快速恢复二极管
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