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张程明
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低压MOS管体二极管反向击穿电压
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MOS管
低压MOS管体二极管反向击穿电压
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(3)
xiaxingxing
2020-1-16 11:24:03
低压MOS管的反向耐压确实比较低,AO3401,DS间的反向耐压只有30V,而GS间的反向耐压更低。
三极管也是一样的,一般VCBO>VCEO。
低压MOS管的反向耐压确实比较低,AO3401,DS间的反向耐压只有30V,而GS间的反向耐压更低。
三极管也是一样的,一般VCBO>VCEO。
2
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张程明:
G的控制电压会串到S或者D吗
张程明:
只要信号电压小于Diode Forward Voltage ,同时电流小于IDS,就可以互换S和D是吗
飞翔的傻蛋
2020-1-16 18:54:08
你关注二极管的反向耐压值没用,MOS管内的二极管一般都是MOS生产过程中寄生而成,说白了也是和MOS管原理一样是沟道,理论上来讲是和MOS管本身耐压值是差不多的,不过你关注这个没用,只要关注MOS管本身的耐压值就够了,MOS管都被击穿了,你要这个寄生的二极管也没用
你关注二极管的反向耐压值没用,MOS管内的二极管一般都是MOS生产过程中寄生而成,说白了也是和MOS管原理一样是沟道,理论上来讲是和MOS管本身耐压值是差不多的,不过你关注这个没用,只要关注MOS管本身的耐压值就够了,MOS管都被击穿了,你要这个寄生的二极管也没用
3
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张程明:
我关注这个是为了看D和S是否可以互换用
xiaxingxing
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张程明:
你要DS互换用,可以用JFET.
飞翔的傻蛋
回复
张程明:
可以的,有一些MOS管的防反接威廉希尔官方网站 就是DS反用
437341
2020-1-17 08:36:40
MOS内部二极管开关速度慢 如果用在较高频率 还是需要外面并联快速或是超快速恢复二极管
MOS内部二极管开关速度慢 如果用在较高频率 还是需要外面并联快速或是超快速恢复二极管
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