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`IGBT驱动波形的死区怎么读？`
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为了使IGBT工作可靠，避免由于关断延迟效应造成上下桥臂直通，也就是上下桥臂同时关断时间。死区时间可有效地避免延迟效应所造成的一个桥臂未完全关断，而另一桥臂又 处于导通状态，避免直通炸模块。
死区时间大，模块工作更加可靠，但会带来输出波形的失真及降低输出效率。死区时间小，输出波形要好一些，只是会降低可靠性，一般为us级。一般来说死区时间是不可以改变的，只取决于功率元件制作工艺。 死区时间的计算？ TD:死区时间； Toff: IGBT关断延迟时间（Turn-off delay time）；Ton: IGBT开通延迟时间（Turn-on delay time）； Tf:上升时间；Tr:下降时间； TPHL :驱动芯片关断延迟时间；TPLH :驱动芯片开通延迟时间 FS820R08A6P2B 参数 1ED020I12FA2 参数 TD=[(1.05+0.05)-(0.27+0.07)+(0.225-0.160)]×1.5 = 1.24 us (备注：计算值只能作为参考，具体设定需看测试结果) 1人点赞 IGBT驱动知识 作者：蓝自由 链接：https://www.jianshu.com/p/d32cbe460bb2 来源：简书 著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。 |
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MOS类型的器件一般是电源电压的一半为响应电压吧，IGBT两个管均不导通的时候，一管的截止下降沿到另一管的导通上升沿，你看时间差就行吧应该
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负载带个电感看看，要有电流才明显
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看下降沿和上升沿之间的时间，IGBT就是一个开关，电压高导通，滴截至
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使用鑫鼎盛的TX4139直流降压芯片时，目的是输入24V，输出11V，为啥实际测量输出电压为20.2V？
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