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来源：瑞萨电子
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布，基于瑞萨独有的SOTB™（Silicon on Thin Buried Oxide 薄氧化埋层覆硅）制程工艺的能量收集嵌入式微控制器（MCU）RE荣获由全球电子技术领域知名媒体集团Aspencore评选出的2019年度MCU产品奖。该奖项此次共收到来自行业内知名半导体供应商的100多款候选产品，通过Aspencore编辑的评估，挑选出10多款产品入围，最终RE脱颖而出，获得该产品奖。 
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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