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擦（erase）
Flash 的编程原理都是只能将 1 写为 0，而不能将 0 写为 1。所以在 Flash 编程之前，必须将对应的Page擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为 1 的过程。是寄存器控制的。都是0xFFFFFFFF才能被写入 1.擦除的单位是page，一个page可能是256B也可能是512B。 2.擦除的地址需要提前进行页对齐。 实现目标 擦除一个page的数据 流程： （1）设置寄存器为page擦除状态 （2）加载一个无效数据dummy，任意值到目标区域上 （3）激活寄存器高电平状态 （4）加一个while死循环，等待高电平状态消失，高电平状态消失说明擦写完成 （5）使能寄存器的鉴别模式 （6）读出所有数据和0xFFFFFFFF比较 （7）数据相符，关闭寄存器verify模式，返回success。失败重复上面所有步骤 （8）失败次数达到门限值，关闭寄存器verify模式，返回fail Note：在高电平操作之后，硬件已经记住了目标的擦除page，所以只会是目标page是表现出verify模式 |
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写（write）
需要注意： 1.以word为写入单位 2.写前需要提前擦除。写入前，必须是0xFFFFFFFF。 实现目标写一个buffer的数据（需要注意操作的时候要按照具体芯片文档说明来操作，比如关闭一些时钟和中断） 流程： （1）设置底层寄存器为写状态 （2）加载一个word的数据到buffer上 （3）通过设置寄存器设置为高电平状态 （4）等待高电平状态消失，判定为写结束 （5）数据比对，比对成功则写成功 （6）重复前面的步骤进行第二个一直到第n个word的写操作 |
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更新（update）
Update！=Write Write是目标区域是空白，然后写入数据；Update是在目标区域已经存在数据的情况下，把目标区域的数据给覆盖更新成新数据 这样一说是不是很清晰了呢？ 按照已知的特点，flash是无法一次擦除，多次写入的。要想写入数据必须重新对目标区域进行擦除。而擦除一擦除就是一整个page，因此需要对数据进行备份到ram中，再擦除，再写入。把flash的擦和写结合一下就是upade了。 实现目标update，nword 流程： （1）目标地址dst，Upade数据来源地址src，长度n个word，计算目标地址和page起始地址的偏移长度offset （2）复制备份数据到ram中 （3）在ram中把数据update掉 （4）擦除page （5）把ram buffer中的数据到目标区域，整个page都重新写入 |
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