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如图，VB接到10~20V,当内部信号拉高HO，HO的电压等于VB的电压，VS=0，Vgs=HO-VS=10~20V,所以此时MOSFET导通，VS的电压等于HV.
HV是高电压，我们设定为30V.这导致C5的上极板电压VB小于下极板电压VS，C5不能被10~20V电源充电.(前提是MOSFET导通时间大于电容充电时间). 因此下一次内部信号拉高HO使得HO=VB时，HO C5不能被充电，这个威廉希尔官方网站 就不能驱动MOSFET，我们毕业设计要用到，比较急， 请教大佬！谢谢！ 
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4个回答
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内部信号拉低后，10~20V电源会通过D1对电容充电呀，不知道你在迷惑什么？
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1 条评论
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谢谢楼主分享，很实用。
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2020-12-29 17:09:32
评论
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可以看看这个说明。MOS管自举威廉希尔官方网站
工作原理与升压自举威廉希尔官方网站
结构图
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