楼主说的Vgs电压应该是耗尽型NMOS的特性，从你的原理图上看的话你用的是N-JFET，N-JFET的话默认是具备耗尽型即是导通的，一般VGS负压到一定程度时耗尽层被“夹断”(N-JFET不导通)，所以从楼主的原理图上来看的话，其实输入10uV的话N-JFET是到导通的，然后看你原理图的话Q2和Q3的放大倍数配置的已经是100倍的啊
楼主说的Vgs电压应该是耗尽型NMOS的特性，从你的原理图上看的话你用的是N-JFET，N-JFET的话默认是具备耗尽型即是导通的，一般VGS负压到一定程度时耗尽层被“夹断”(N-JFET不导通)，所以从楼主的原理图上来看的话，其实输入10uV的话N-JFET是到导通的，然后看你原理图的话Q2和Q3的放大倍数配置的已经是100倍的啊
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安亚垒
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杨肖：
R1的取值影响电流，从而会影响信号的偏置电压
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