当MDD二极管两端外加电压发生变化时，一方面PN结宽窄变化，势垒区内的施主阴离子和受主阳离子数量会改变；另一方面扩散的多子和漂移的少子数量也会因电压变化而改变。这种情况与电容的作用类似，分别用势垒电容和扩散电容来表示。当二极管两端外加正向电压时，它削弱PN结的内电场，扩散运动加强，漂移运动减弱，扩散和漂移的动态平衡被破坏，扩散运动大于漂移运动，结果导致P区的多子空穴流向N区，N区的多子
电子流向P区，进入P区的电子和进入N区的空穴分别成为该区的少子，因此，在P区和N区的少子比无外加电压时多，这些多出来的少子称为非平衡少子。
在正向电压作用下，P区空穴越过PN结，在N区的边界上进行积累，N区电子越过PN结，在P区的边界上进行积累，这些非平衡少子依靠积累时浓度差在N区进行扩散，形成一定的浓度梯度发布，靠近边界浓度高，远离边界浓度低。空穴在向N区扩散过程中，部分与N区中的多子电子相遇而复合，距离PN结边界越远，复合掉的空穴就越多。反之亦然，电子在向P区扩散过程中，部分电子与P区中的多子空穴相遇而复合，距离PN结边界越远，复合掉的电子就越多。MDD二极管正向导通时，非平衡少数载流子就会在边界附近积累，产生电荷存储效应。
MDD二极管导通后，在回路中的电流流向是从正极流向负极，不能从负极流向正极，否则二极管已经损坏。
MDD二极管导通的条件：正向偏置电压,正向偏置电压大到一定程度，对于硅管而言0.7V，对于锗管而言为0.2V。对于一个硅二极管正向电压大于0.5V的时候，就会有正向电流。通常情况下，硅MDD二极管正向电压不会超过0.7V。那如果在这个二极管两端加上10V的电压，那么此时经过
电源内阻限流后，电流超过了此MDD二极管所能承受的最大电流，MDD二极管就被烧毁了！不超过MDD二极管的允许最大电流，那么肯定是电源有内阻承担了另外过多的电压。此时MDD二极管的电压肯定是0.7V。它的作用和稳压管类似，只要符合了稳压管的条件它就稳压，超过了或者不稳压，或者被烧毁。
如果是一个能力特别强的电源，比如是理想电源，那么MDD二极管肯定是被击穿的。也就是，在二极管没有被击穿的情况下，这个硅二极管两端的电压一般就是0.5V-0.7V左右了。
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