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咨询下,在下图所示的运放中,vdd=3v;Id=10uA;
其中右边一路的PMOS预先分配Vgs=700mV;Vds=650mV; NMOS1预先分配Vgs1=650mV;Vds1=1000mV; NMOS2预先分配Vgs2=1000mV;Vds=700mV; 相当于整个Vds=650+650+1000+700=3000mV; 仿真出来电流也正确,不过Vds并不如预先分配那样,全被底下的NMOS吸收,导致PMOS进入线性区; 请问这个该如何调整到所预设的Vds呢? |
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4个回答
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右边那一路的PMOS的W/L太大,需要注意的是左边那一路上面PMOS流过的是20uA,而右边的PMOS仅仅流过10uA,调小试试看。如果不行,那估计还要调大右边的NMOS1的W/L
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右边那一路的PMOS的W/L太大,需要注意的是左边那一路上面PMOS流过的是20uA,而右边的PMOS仅仅流过10uA,调小 ... 你好,这个相当于折叠式运放,右边那路有10uA电流被分掉了; |
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第一,运放要闭环调,输出是个高阻节点,电压不定,pmos vds不够应该是这个原因 你好,这个Bulk应该都是接gnd与vdd的; 闭环调是指什么的,是不是要将输入差分对加进去?第二级就是miller补偿了; |
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