GD32和STM32有哪些不同之处

　　一、前言
　　什么GD32？
　　GD32是国内开发的一款单片机，据说开发的人员是来自ST公司的，GD32也是以STM32作为模板做出来的。
　　所以GD32和STM32有很多地方都是一样的，不过GD32毕竟是不同的产品，不可能所有东西都沿用STM32，有些自主开发的东西还是有区别的。相同的地方我们就不说了，下面我给大家讲一下不同的地方。
　　二、区别
　　1、内核
　　GD32采用二代的M3内核，STM32主要采用一代M3内核，下图是ARM公司的M3内核勘误表，GD使用的内核只有752419这一个BUG。
　　
　　2、主频
　　使用HSE（高速外部时钟）：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大72M
　　使用HSI（高速内部时钟）：GD32的主频最大108M，STM32的主频最大64M
　　主频大意味着单片机代码运行的速度会更快，项目中如果需要进行刷屏，开方运算，电机控制等操作，GD是一个不错的选择。
　　3、供电
　　外部供电：GD32外部供电范围是2.63.6V，STM32外部供电范围是23.6V。GD的供电范围比STM32相对要窄一点。
　　内核电压：GD32内核电压是1.2V，STM32内核电压是1.8V。GD的内核电压比STM32的内核电压要低，所以GD的芯片在运行的时候运行功耗更低。
　　4、Flash差异
　　GD32的Flash是自主研发的，和STM32的不一样。
　　GD Flash执行速度：GD32 Flash中程序执行为0等待周期。
　　STM32 Flash执行速度：ST系统频率不访问flash等待时间关系：0等待周期，当0《SYSCLK《24MHz，1等待周期，当24MHz《SYSCLK≤48MHz，2等待周期，当48MHz《SYSCLK≤72MHz。
　　Flash擦除时间：GD擦除的时间要久一点，官方给出的数据是这样的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型号， Page Erase 典型值100ms， 实际测量60ms 左右。对应的ST 产品Page Erase 典型值 20~40ms。
　　5、功耗
　　从下面的表可以看出GD的产品在相同主频情况下，GD的运行功耗比STM32小，但是在相同的设置下GD的停机模式、待机模式、睡眠模式比STM32还是要高的。
　　
　　6、串口
　　GD在连续发送数据的时候每两个字节之间会有一个Bit的Idle，而STM32没有，如下图。
　　
　　GD的串口在发送的时候停止位只有1/2两种停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四种停止位模式。
　　GD 和STM32 USART的这两个差异对通信基本没有影响，只是GD的通信时间会加长一点。
　　7、ADC差异
　　GD的输入阻抗和采样时间的设置和ST有一定差异，相同配置GD采样的输入阻抗相对来说要小。具体情况见下表这是跑在72M的主频下，ADC的采样时钟为14M的输入阻抗和采样周期的关系：
　　
　　8、FSMC
　　STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
　　9、103系列RAM&FLASH大小差别
　　GD103系列和ST103系列的ram和flash对比如下图：
　　
　　10、105&107系列STM32和GD的差别
　　GD的105/107的选择比ST的多很多，具体见下表：
　　
　　11、抗干扰能力
　　关于这一点，官方没有给出，我也是在做项目的时候偶然发现的，项目原本是用STM32F103C8T6，后来换成GD F103C8T6，这两个芯片的引脚完全一致，然后单片机用了的两个邻近的引脚作为SPI的时钟引脚和数据输出引脚，然后发现STM32的SPI能正常通讯，GD的不行，经过检查发现PCB板SPI的铜线背面有两根IIC的铜线经过，信号应该是受到影响了。
　　用示波器看了一下引脚的电平，发现确实是，STM32和GD的数据引脚波形都不正常，但是STM32的波形要好很多，波形虽然差了点，但是SPI通讯依然正常。
　　而GD则不能正常通讯了。然后我又把SPI的通讯速率减慢，发现STM32的数据引脚很快就恢复正常波形了，而GD的依然差，直到速率降到很低才恢复正常。初步怀疑是STM32内部对引脚有做一些滤波的威廉希尔官方网站 ，而GD则没有。
　　虽然我用的这个威廉希尔官方网站 板本身布线有些不合理，但是在同样恶劣的环境下，STM32依然保证了通讯的正常，而GD不行，这在一定程度上说明了GD的抗干扰能力不如STM32。
　　好了，关于GD32和STM32的区别就讲到这里，如果还有什么问题或者文中有错误的地方，留言讨论~