FAI推出最新MOSFET产品

2012-4-28 10:21:32 3587

0 ` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑因能源效率标准和最终系统要求的推动，在不影响功率密度的高能的情况下，能缩减应用电源的外形尺寸且有效解决方案是当下电源设计人员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款的推出，为业界提供了最佳功率密度和低传导损耗。 FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench技术，非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON)的应用，包括：高性能DC-DC降压转换器、负载点(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件，能够将封装尺寸从5mmx6mm减小为3.3mmx3.3mm，节省66%的MOSFET占位面积。在隔离型1/16thbrickDC-DC转换器应用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)仅为1.3mΩ，与具有同等占位面积的竞争解决方案相比减小了25%。此外，该器件减小了传导损耗，从而提高散热效率多达25%。高性能技术，具有业界最佳RDS(ON)，最大仅为1.3mΩ；3.3mmx3.3mm行业标准外形尺寸，PQFN，节省线路板空间；FDMC8010具有更低的传导损耗，能够实现比竞争解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。这也是FAI公司在MOSFET产品系列中，另一突破。俺是电子发烧友，有做MOSFET这一系列，欢迎大家多多讨论。。。 ` 0
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潘铭辉 · 2013-8-15 08:57:15 沙发复制下来！！！！！！我自己好好学习！！！！！！！！！！！！！！！

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