减少涉及EMI合规性的技巧分享

2022-11-22 07:17:08 304 FET

0 以下这 4 个基本技巧可帮助您减少涉及 EMI 合规性时为您带来的烦恼。当然，EMI 主题非常广泛，会涉及很多其它技巧。在该部分我们重点讨论了当电源中的组件寄生电容直接耦合至电源输入电线时会发生的情况。现在，我们来看看共模 EMI 问题的最常见来源：电源变压器。该问题由一次绕组和二次绕组间的寄生电容以及一次绕组的高 dV/dt 引起。这个绕组间的电容可起到充电泵的作用，导致杂散电流流到通常连接至接地的二次侧。这里有四个可最大限度减少该问题的常见技巧。进行一次绕组，使最高 dV/dt 出现在外层上。电压电势会随每个匝数变化。例如在反激拓扑中，最大的电压摆幅出现在连接 FET 漏极的一端（见图… 0 PowerLab 笔记：如何避免传导 EMI 问题 — 2.pdf 133.24 KB , 下载次数: 1
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