IGBT大功率器件实用篇

2023-2-8 16:50:03 940 IGBT MOSFET NMOS 晶闸管

0 回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to-Source的电流，而这个电流同时也是BJT的基区电流(Ib)，而Ib*Rb就是BJT的Vbe，所以只要MOSFET一旦turn-on，这个Vbe一定很容易就大于0.7V了，所以这个BJT的Vbe就导通了，此时BJT管就导通进入放大区了(发射结正偏，集电结反偏)。 IGBT里面有一个天然寄生的NPNP晶闸管，这个和CMOS的闩锁效应一个道理。所以需要分别控制两个BJT的Gamma(共发射极电流放大系数)，最好的方式就是Vbe短接，这就是为什么IGBT都需要把contact从Emitter延伸到Body里面去。首先，我们看到比较多的都是N型IGBT，那么有没有P型IGBT？答案肯定是有，为啥不用呢？其实就是跟CMOS之前一样，为啥只有NMOS？因为PMOS电阻大啊！同样的道理，P-IGBT的on-state阻抗太高，Switch loss太高。而且P-IGBT更容易Latch-up，也就是SOA太窄了。原作者：小桂芯苑 0
2023-2-8 16:50:03　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 大功率IGBT怎么分类？ 5156 • IGBT/MOSFET 等大功率器件设计资料 13498 • 基于IGBT器件的大功率DC/DC电源技术方案 2617 • 森国科推出大功率IGBT分立器件 549 • IGBT器件的大功率DCDC电源并联技术 54 • 基于IGBT器件的大功率DC/DC电源技术方案 12375 • 大功率IGBT模块及驱动技术 1076 • 大功率IGBT模块及驱动技术 17 • 高压大功率IGBT驱动型号介绍 74 • 用于大功率IGBT的驱动威廉希尔官方网站 137