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1、接口对比 NorFlash带有通用的SRAM接口,可以轻松地挂接在CPU的地址、数据总线上,对CPU的接口要求低。 NandFlash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。由于时序较为复杂,所以一般CPU最好集成NAND控制器。 另外由于NandFlash没有挂接在地址总线上,所以如果想用NandFlash作为系统的启动盘,就需要CPU具备特殊的功能,如s3c2410在被选择为NandFlash启动方式时会在上电时自动读取NandFlash的4k数据到地址0的SRAM中。 如果CPU不具备这种特殊功能,用户不能直接运行NandFlash上的代码,那可以采取其他方式,比如好多使用NandFlash的开发板除了使用NandFlash以外,还用上了一块小的NorFlash来运行启动代码。 2、容量和成本对比 相比起NandFlash来说,NorFlash的容量要小,一般在1~16MByte左右,一些新工艺采用了芯片叠加技术可以把NorFlash的容量做得大一些。 在价格方面,NorFlash相比NandFlash来说较高,如目前市场上一片4Mbyte的AM29lv320 NorFlash零售价在20元左右,而一片128MByte的k9f1g08 NandFlash零售价在30元左右。 NandFlash生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,这样也就相应地降低了价格。 3、可靠性对比 NAND器件中的坏块是随机分布的,以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。而坏块问题在NorFlash上是不存在的。 在Flash的位翻转(一个bit位发生翻转)现象上,NAND的出现几率要比NorFlash大得多。这个问题在Flash存储关键文件时是致命的,所以在使用NandFlash时建议同时使用EDC/ECC等校验算法。 4、寿命对比 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。闪存的使用寿命同时和文件系统的机制也有关,要求文件系统具有损耗平衡功能。 5、升级对比 NorFlash的升级较为麻烦,因为不同容量的NorFlash的地址线需求不一样,所以在更换不同容量的NorFlash芯片时不方便。通常我们会通过在威廉希尔官方网站
板的地址线上做一些跳接电阻来解决这样的问题,针对不同容量的NorFlash。 而不同容量的NandFlash的接口是固定的,所以升级简单。 6、读写性能对比 写操作:任何flash器件的写入操作都只能在空或已擦除的单元内进行。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。 擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个擦除/写入操作的时间约为5s。擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行一个擦除/写入操作最多只需要4ms。 读操作:NOR的读速度比NAND快。 7、文件系统比较 Linux系统中采用MTD来管理不同类型的Flash芯片,包括NandFlash和NorFlash。支持在Flash上运行的常用文件系统有cramfs、jffs、jffs2、yaffs、yaffs2等。cramfs文件系统是只读文件系统。 如果想在Flash上实现读写操作,通常在NorFlash上我们会选取jffs及jffs2文件系统,在NandFlash上选用yaffs或yaffs2文件系统。Yaffs2文件系统支持大页(大于512字节/页)的NandFlash存储器。
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1个回答
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2、存储原理对比
NorFlash内部结构是通过一组密集的并联闪存单元,通过译码器控制进行读写操作;而NandFlash内部结构是通过多组并联的页和块进行读写操作,每个页面都有一个寻址器(地址译码器),负责将存储的数据地址进行映射,并定位到具体的存储页。 3、擦写和写入速度对比 NorFlash有较快的读取速度,但是擦写和写入速度比较慢,一般需要以块为单位进行操作;而NandFlash则具有比NorFlash更快的写入和擦除速度,支持更大的块大小。 4、容量对比 NorFlash主要用于存储小容量的程序代码和执行流程,通常容量不超过1GB;而NandFlash则可以支持更大容量的存储,通常从几GB到几十GB。 综上所述,NorFlash在接口和读取速度方面具有一定优势,适用于存储少量的小程序代码;而NandFlash则在写入和擦除速度、容量等方面具有优势,适用于存储大容量的数据和文件。具体选择哪种存储器件需要根据实际应用场景来确定。 |
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