本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 编辑
首先，我觉得，用5V给栅极，他就不会导通，因为它导通需要在10V左右。其次，你说导通后漏源极电压相等这也是正确的，而且它导通是要考虑Vgs，就像三极管的Vbe一样，导通之后Vbe（Vgs）依然是不变的，因为栅极和源极间是一个反向PN结（因此导通电压较BJT高些），导通时该PN结反向击穿，通过你上面说的100电阻到地，压降还是那么多。另外我觉得你应该在MOS前用一个BJT作为前级驱动，5V是不能行的,
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