单片采样保持放大器LF198／298／398

单片采样保持放大器LF198／298／398

本文所应用到的相关器件资料：
 LF198     LF298     LF398    
LF198／298／398是单片采样保持放大器，它利用BI-FET技术获得超高的直流(DC)精度，具有信号快速采样和低下降率。作为单位增益跟随器工作，DC增益精确度典型值为0．002％，采样时间低于6μs时达到0．01％。一个双极性输入级用于完成低失调电压和宽频带，一个信号输入端实现输入失调的调节而不会降低输入失调漂移的要求。宽的频带允许LF198／298／398内部包含1MHz反馈环路运算放大器，而不会出现不稳定问题。输入阻抗1010Ω允许将其用于高阻信号源而不会降低精度。在输出放大器中采用P沟道结型场效应管(JFET)与双极性器件结合，用一个1μF保持电容器时可获得5mV／分钟的低下降率。JFET与早期设计使用的MOS器件相比噪声低得多，并且高温稳定性好。整个芯片设计确保在保持模式下，不存在从输入到输出的直通，即使在信号等于电源电压时也是如此。LF198／298／398逻辑输入端是具有低输入电流的完全差分输入，允许直接连接TTL、PMOS、CMOS信号电平，差分阈值为1．4V。LF198／298／398及LF198A／398A等的引脚排列如图所示。
600) {i=this.width; j=this.height; this.width=600; this.height=j/i*600;}" border=0>
内部框图:
600) {i=this.width; j=this.height; this.width=600; this.height=j/i*600;}" border=0>
相关型号：LT1097CS8 ADM231LJR MC68882FN33A EPM7256ATC144-10 LTC1709EG  http://www.ic37.info/LT1097CS8_ic.htm http://www.ic37.info/ADM231LJR_ic.htm http://www.ic37.info/MC68882FN33A_ic.htm http://www.ic37.info/EPM7256ATC144-10_ic.htm http://www.ic37.info/LTC1709EG_ic.htm