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关于MOS管DS端的二极管的作用

2016-5-16 17:31:38

21042 二极管

1

前面用MOS管，一直没注意看资料上在DS端并联了一个二极管，好奇心驱使下就去搜了一下是为什么有这个东西，发现说的都不怎么透彻，所以兄弟只好自己去查资料了，所幸在《电子威廉希尔官方网站原理》--李冬梅翻译的那一本找到了（348页），这个二极管是人为加上去的，和部分兄弟认为的寄生二极管不同，主要是起到保护GS之间的二氧化硅薄膜，因为这个东西很薄，所以在自然静电和带电插拔时很容易就击穿了，所以在这两端并连了一个齐纳二级管，先于GS端导通。但是也带来了一个缺点就是减小了MOS管的输入电阻。完毕！

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9 条评论

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王龙龙 2016-5-17 09:29:11

长知识了

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星痕舞动 2016-5-18 16:45:10

为何一般在网上看的MOS管方面的资料时，都说是工艺决定的？

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huangshun2016 2016-5-23 11:30:16

学海无涯！谢谢分享！

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8电子爱好者8 2016-5-23 11:46:03

你真细心呀，谢谢分享

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胡印喜 2016-7-2 19:26:28

星**动发表于 2016-5-18 16:45
为何一般在网上看的MOS管方面的资料时，都说是工艺决定的？

如果没有这个生产时候的静电就可以使这个元件挂掉了--个人理解

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houjue 2016-7-4 09:52:12

这个是增强型Mos管，非Mos管。

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张志辉 2016-7-5 13:50:50

事实上这个不是并联上去的，它叫体二极管，当mos管导通时，不管是PMOS还是NMOS，导通方向都是与该体二极管方向相反的！

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刘兴博 2016-9-15 22:11:50

书山有路勤为径，学海无涯苦作舟

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齐康康 2018-1-15 06:50:18

栅极累计电荷，瞬间高压可以击穿栅极和源极之间的二氧化硅薄膜，DS极的二极管没有引导的路径，如果说这个二极管是为了防止静电击穿，那也是为了防止D极或者S极的电荷累积导致DS极击穿，可是DS极之间没有这种薄膜，所以不存在击穿这种情况。

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