### 产品简介
B25S65L-VB 是一款高电压、高功率单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 SJ_Multi-EPI 技术，专为处理高电压应用而设计，具有稳定的性能和高可靠性，适合用于高压开关和功率控制系统。
### 详细参数说明
- **型号**: B25S65L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单级N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
B25S65L-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高压电源开关**：用于高电压电源系统中，实现高效的开关控制和功率管理。
2. **工业电源**：在工业设备的高电压开关和电源控制模块中，确保稳定可靠的性能。
3. **电动汽车**：处理电动汽车中的高电压功率转换和电池管理系统，提供高效的开关解决方案。
4. **电力转换器**：在高电压 DC-DC 转换器中作为开关元件，提升电力转换效率并保持系统稳定。