### 产品简介
B25S65-VB 是一款高耐压单通道 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。此 MOSFET 支持高达 650V 的漏源电压和最大 20A 的漏极电流。采用 SJ_Multi-EPI 技术，具有较低的导通电阻，适用于高电压、高功率的电力应用。
### 详细参数说明
- **型号**: B25S65-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI 工艺
### 适用领域和模块
B25S65-VB 适用于以下领域：
1. **电力转换**: 在高电压开关电源、逆变器和功率调节器中使用，提供高效的电源转换和电流控制。
2. **电力电子**: 用于高功率电源设备中，如电源逆变器和高功率调节器，处理高电压和高功率的电源开关任务。
3. **工业控制**: 适合高压工业自动化设备，如电机驱动系统和控制系统，提供稳定的功率开关和调节功能。
4. **家电和照明**: 用于高电压家电设备和照明系统，如空调和高压灯具，确保可靠的电源管理和安全操作。