**产品简介**
B262L-VB是一款高电流、高性能的单N通道场效应晶体管（MOSFET），采用TO-263封装和Trench工艺。该MOSFET设计用于高效电源管理和负载驱动应用，能够处理高达60V的漏源电压，提供卓越的低导通电阻和高电流处理能力。它的低R_DS(ON)特性使其在高电流条件下表现优异，适合各种需要高效开关性能的应用场景。
**详细参数说明**
- **型号**：B262L-VB
- **封装**：TO-263
- **配置**：单N通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**：60V
- **最大栅源电压 (V_GS)**：±20V
- **阈值电压 (V_th)**：3V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**：
- 4.5V时：12mΩ
- 10V时：3.2mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**：210A
- **技术**：Trench工艺
**应用领域和模块**
1. **电源管理系统**：B262L-VB适用于高效DC-DC转换器、电源供应系统，能够处理高电流负载，同时优化电源转换效率，降低功耗。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理系统和电动机驱动中，此MOSFET能够处理高电流和高负载，提高系统的整体性能和稳定性。
3. **工业驱动应用**：用于工业电机驱动系统，提供高电流控制和低导通电阻，帮助提高电机驱动的效率和可靠性。
4. **高功率电源**：适合高功率电源和负载驱动应用，能够在高电流和高电压条件下稳定工作，提升系统的性能和可靠性。