瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:02
1252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311170 中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:50712 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一个项目，直流输出有600V，输出与控制板完全隔离，现在我想通过电阻分压的方式对其进行采样。分别对输出+和输出-作分压采样。但是因为输出地相对板子地是悬浮的，所以分压威廉希尔官方网站
设计上难把握。请问板上大声有没有有经验的或有想法的不吝赐教。另外问一下有没有用过隔离式直流电压采样器件的吗
2015-09-29 16:25:27
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
为正时，它充当增强型MOSFET。N沟道场效应管与P沟道场效应管介绍N沟道MOSFET的源极接地，漏极连接到负载，当栅极施加正电压时，FET导通。N 沟道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它们
2023-02-02 16:26:45
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N沟道MOSFET衬底为高掺杂的N+衬底，高掺杂沟道
2016-10-10 10:58:30
电源，这样就可以将N沟道同步整流功率MOSFET管放在高端。图6：次级同步整流管放高端（左）、低端（4）通讯系统48V输入系统的热插拨如果是-48V的系统，热插拨的功率MOSFET使用N沟道类型，放在
2016-12-07 11:36:11
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N沟道100V（D-S）MOSFET一般说明AP15N10是N通道逻辑增强型电源场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS来生产的沟槽技术。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些
2021-07-13 09:16:34
BSS123 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V，IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。一、IRS26302DJBPF外观图
2021-05-18 07:25:34
`ISA04N65A N沟道MOSFETTO-220F 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •充电器•低导通电阻 •SMPS待机功率•低门电荷 •LCD面板电源•峰值电流与脉冲宽度曲线 [/td][td]•ESD功能得到改善`
2018-09-06 13:43:36
`ISU04N65A N沟道 MOSFETISU04N65A N沟道MOSFETTO-251 应用范围特征： •适配器•符合RoHS标准 •电视主要电源•低导通电阻 •SMPS电源•低门电荷
2018-09-06 13:45:25
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-11-23 14:05 编辑
NCP5106是一款高压栅极驱动IC，提供两个输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，使用自举技术
2021-11-23 13:57:47
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58:23
】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A
2020-06-05 10:24:53
AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
：厂家直销，价格优势，货源充足，品质保证。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A
2020-06-19 10:57:37
SL2302 20V4.2A 36毫欧 SOT23【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封装P沟道SL50P03 -30V-50ADFN3x3-8封装P沟道
2020-06-19 10:59:26
10场效应管100V25A N沟道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-09 10:23:37
】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A
2020-06-05 10:20:57
、背光驱动芯片/MOS管SL3009N沟道SOP-830V 9ASL4354N沟道SOP-830V20A可替换 AO4354SL4406N沟道SOP-830V13A可替换 AO4406A
2020-08-03 14:29:24
，货源充足，品质保证。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管。SL2060场效应管 20V85A N沟道功率MOS管【30V MOS管 N/P沟道】SL40P03 -30V
2020-06-19 11:00:56
SL3020双管30V16A 19毫欧DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N沟道场效应管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫欧DFN5x6A-8_EPSL3042 N沟道场效应管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖
2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫欧SOT23-3LSL3400 N沟道场效应管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫欧SOT23-3LSL3402 N沟道场效应管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3404 30V5.7A 19毫欧SOT23-3LSL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-22 11:03:37
SL3404 30V5.7A 19毫欧SOT23-3LSL3404 N沟道场效应管 30V5.7A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作
2020-06-24 10:37:08
SL3406 30V4A 50毫欧 SOT23-3LSL3406 N沟道场效应管30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-24 10:39:23
SL3414 20V6A 20毫欧SOT23-3LSL3414 N沟道场效应管20V6A的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低
2020-06-24 10:40:54
SL3414E 20V4A 20毫欧SOT23-3L带静电保护SL3414EN沟道场效应管20V6A带静电保护的功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得
2020-06-29 16:31:55
，货源充足，品质保证。供应中低压MOS管，供应替代AO系列MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装
2020-06-29 16:40:19
SL3422 55V2.1A 90毫欧SOT23-3LSL3422 N沟道场效应管55V2.1A功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力
2020-07-01 16:55:47
10场效应管100V35A N沟道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-09 10:36:41
】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道SL2N10 100V2A
2020-06-05 10:23:09
及方案解决，提供原装正品芯片、提供技术支持、提供优先货源，保障客户利益，为客户提供全方面服务。我司还提供MOS管，支持样品测试供应【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A
2020-07-27 17:15:08
场效应管30V39A N沟道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:31:13
SL4184 40V60A 9毫欧TO-252SL4184 N沟道场效应管40V60A功率MOS管深圳聚能芯半导体专业中低压mos管，经验丰富，实力雄厚，技术支持。是您值得信赖合作的实力中低压MOS
2020-07-01 16:58:17
`SL4430 30V18A 4.5毫欧SOP-8SL4430 N沟道耐压30V18A系列中低压MOS管 【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道
2020-08-03 14:48:45
沟道 TO-252 替代AOD484 功率MOS管SL403-30V-70A5毫欧TO-252封装 P沟道替代AOD403SL48430V41A14毫欧TO-252封装 N沟道替代
2020-06-04 13:58:07
`、【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道SL15N10100V15ATO-252 封装N沟道
2021-06-16 10:03:36
06场效应管60V50A N沟道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N沟道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封装N沟道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封装N沟道
2020-06-10 14:33:23
`深圳市三佛科技有限公司 供应 SLD80N06T 80A/60V TO-252 N沟道 MOS，原装，库存现货热销SLD80N06T 参数：60V80ATO-252 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 15:06:41
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
深圳市三佛科技有限公司 供应 SLN30N03T30V 30A N沟道 MOS，原装现货热销 SLN30N03T参数： 30V30ADFN3*3-8 N沟道MOS管品牌：美浦森
2021-04-07 14:57:10
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
`深圳市三佛科技有限公司 供应 ITA07N65650V 7A N沟道 MOS管 7N65，原装，库存现货热销ITA07N657A 650V TO-220FN沟道 MOS管 /场效应管
2021-03-24 10:35:56
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电威廉希尔官方网站
，P沟道的功率MOSFET的型号为：AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能，Q4控制威廉希尔官方网站
的工作。图1：P沟道MOSFET组成充电威廉希尔官方网站
威廉希尔官方网站
工作
2017-04-06 14:57:20
【中低压MOS供应】VS3622DE，30V/35A，双N沟道高级功率MOSFET 【中低压MOS供应】VS4610AE，40V55A，N沟道高级功率MOSFET VS3622DE
2020-11-04 14:40:31
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
MOSFET作为开关使用串联在电池负极和开关电源负极之间，但总是烧坏MOSFET，MOSFET选用的是IXFN420N10T，Ids可达420A，Vds最大100V，而开关电源是适配48V，电池是铅酸电池
2016-09-06 12:51:58
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 16:02:10
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分类及优缺点和小功率 MOSFET 类似，功率 MOSFET 也有分为 N 沟道和 P 沟道两大类；每个大类又分为增强型和耗尽型两种。虽然耗尽型较之增强型有不少的优势，但实际上
2019-11-17 08:00:00
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20:10
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压，请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成威廉希尔官方网站
（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
600V MOSFET继续扩展Super Junction FET技术
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 500V和600V的高压MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通
2012-05-03 17:29:421434 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 描述bp6901a / bp6908a是一种高电压，高速半桥预潜水员对功率MOSFET和IGBT。它具有高侧和低侧的输入，以及具有内部死区时间的两个输出通道，以避免交叉传导。输入逻辑水平与3.3v/5v/15v信号兼容。浮高侧通道可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:37
56 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
在高温下，温度系数会显著改变击穿电压。例如，一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的，在接近最高结温时，温度系数会让这些MOSFET变得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 SVF12N60F/S/K 600V N沟道增强型场效应管资料下载。
2022-02-16 14:52:580 Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 20 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:540 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZ600UNEL
2023-02-27 19:10:580 20 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 30 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB47XP
2023-03-02 22:21:130 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZB600UNE
2023-03-02 22:48:200 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
这是600W MOSFET功率放大器的威廉希尔官方网站
图。该威廉希尔官方网站
将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器威廉希尔官方网站
仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450，即可为您提
2023-07-28 17:04:191358 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 （Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）威廉希尔官方网站
中
2023-08-21 10:49:56
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