采用最新一代工艺，提高了电源效率 日本川崎, 2022年4月1日 /美通社/-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices Storage
2022-04-06 17:36:55
3732 
N沟道耗尽型MOSFET
1) N沟道耗尽型MOSFET的结构
N
2009-09-16 09:41:4323374 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111114 采用超级接面结构设计不仅可克服现有功率MOSFET结构的缺点，亦能达到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 
东芝将进一步扩大其MOSFET产品线，通过减少损耗提高设备电源效率，进而帮助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 
中国上海， 2023 年 2 月 3 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET
2023-02-06 10:01:471034 
中国上海， 2023 年 3 月 30 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15665 
X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关威廉希尔官方网站
和热插拔威廉希尔官方网站
[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。 TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“
2023-07-03 14:48:14477 
－通孔式小型封装有助于减小表贴面积和电机威廉希尔官方网站
板尺寸－ 中国上海， 2023 年 10 月 26 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
`<p><font face="Verdana">N沟道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
自 1980 年代中期以来，MOSFET 一直是大多数开关模式电源 （SMPS）中的首选晶体管技术。MOSFET用作初级开关晶体管，并在用作门控整流器时提高效率。MOSFET 的结构类似于FET。在
2023-02-02 16:26:45
`N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征该TDM31066采用先进的沟槽技术RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
。TB9083FTG这款新产品能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。它非常适合用于满足ISO 26262功能安全性标准第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
中国上海，2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）威廉希尔官方网站
的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
MOSFET，应用于高频非隔离的DCDC变换器，以提高系统的效率，降低系统的体积。AOS的AON6240就是采用这种技术，电压40V，Rdson=1.6m，广泛的应用于通讯模块电源的副边同步整流。沟漕和平
2016-10-10 10:58:30
，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22:42
电源，这样就可以将N沟道同步整流功率MOSFET管放在高端。图6：次级同步整流管放高端（左）、低端（4）通讯系统48V输入系统的热插拨如果是-48V的系统，热插拨的功率MOSFET使用N沟道类型，放在
2016-12-07 11:36:11
图。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有 不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。图2是一种N沟道增强型功率场效应管(MOSFET
2011-12-19 16:52:35
MOSFET和超级结MOSFET。简而言之，就是在功率晶体管的范围，为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。如下图所示，平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时，漂移层会增厚，存在导通电阻增加
2018-11-28 14:28:53
减小RDS(on)的值，就需要找到一种对漂移区进行重掺杂的方法，并大幅减小epi电阻。图2：平面式MOSFET的电阻性元件通常，高压的功率MOSFET采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的N-的外延层，即
2018-10-17 16:43:26
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成威廉希尔官方网站
（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
因能源效率标准和最终系统要求的推动，在不影响功率密度的高能的情况下，能缩减应用电源的外形尺寸且有效解决方案是当下电源设计人
2012-04-28 10:21:32
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器
2019-05-14 09:23:01
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-11-23 14:05 编辑
NCP5106是一款高压栅极驱动IC，提供两个输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，使用自举技术
2021-11-23 13:57:47
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
1. 器件结构和特征 Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-04-09 04:58:00
1. 器件结构和特征Si材料中越是高耐压器件，单位面积的导通电阻也越大（以耐压值的约2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过
2019-05-07 06:21:55
图1为二个P沟道的功率MOSFET组成的充电威廉希尔官方网站
，P沟道的功率MOSFET的型号为：AO4459。Q3和R1实现恒流或限流充电功能，Q4控制威廉希尔官方网站
的工作。图1：P沟道MOSFET组成充电威廉希尔官方网站
威廉希尔官方网站
工作
2017-04-06 14:57:20
对漂移区进行重掺杂的方法，并大幅减小epi电阻。图2：平面式MOSFET的电阻性元件通常，高压的功率MOSFET采用平面型结构，其中，厚的低掺杂的N-的外延层，即epi层，用来保证具有足够的击穿电压
2017-08-09 17:45:55
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率MOSFET工作在高达60V（绝对最大值）的高压（HV）轨道上工作
2019-05-10 06:46:05
的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动威廉希尔官方网站
复杂；P沟道可以直接驱动
2019-04-04 06:30:00
、效率高、成本低的优势，因此，较适合作仪器电源。本文给出了一种由MOSFET 控制的大范围连续可调（0～45V） 的小功率稳压电源设计实例。总体结构与主威廉希尔官方网站
为该电源的总体结构框图。工作原理如下：基于MOSFET控制的大范围连续可调(0～45V) 的小功率稳压电源设计实例2图1 原理方框图全桥整流威廉希尔官方网站
将电网
2021-11-12 08:50:12
和注释会让你一目了然！负载（Load）的连接方式决定了所选 MOSFET 的类型，这是出于对驱动电压的考虑。当负载接地时，采用 P 沟道 MOSFET；当负载连接电源电压时，选择 N 沟道 MOSFET
2019-11-17 08:00:00
自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）首选的晶体管技术。当用作门控整流器时，MOSFET是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P
2021-04-09 09:20:10
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:47
关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。 第一步：选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地
2011-08-17 14:18:59
耐压为600V的 COOLMOS，使这一想法得以实现。 与常规MOSFET结构不同，内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间，使MOSFET关断时，垂直的P与N之间建立横向
2023-02-27 11:52:38
加深理解，最好还是参阅技术规格的标准值和特性图表。【标准SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
功率MOSFET的结构和工作原理功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 Qspeed推出超高效率600V H系列整流器
益登科技（EDOM Technology）代理的Qspeed半导体今日宣布推出H系列组件，协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战，同时也提
2009-11-11 10:49:22774 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 超高效率600V H系列整流器扩展硅二极管性能
为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战， Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed新款600V功率因数校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 600V MOSFET继续扩展Super Junction FET技术
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET
2010-01-26 16:26:181090 500V和600V的高压MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 关注点一：功率半导体器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用"超级结"（Super-Junction）结构，故又称超结功率MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了
2010-12-14 12:06:40639 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通
2012-05-03 17:29:421433 日前，东芝开发了提高内置二极管恢复特性的构造MOSFET“DTMOS”，并将于5-14日至16日在PCM 2013大会上展示。据悉，该产品耐压为600V，缩短了内置二极管反向恢复时间。
2013-05-20 11:40:33885 东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 功率开关应用威廉希尔官方网站
的基本元件主要有MOSFET和快速恢复二极管。MOSFET和恢复二极管对于采用全桥或零电压开关／相移拓扑的电信和服务器电源、全桥电机控制系统、不间断电源、和高强度放电镇流器（HID
2018-04-08 09:18:454823 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155102 新产品是东芝首款采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在威廉希尔官方网站
板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463093 电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道耗尽型功率
2021-05-27 12:18:587444 
东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）宣布，在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
SVF12N60F/S/K 600V N沟道增强型场效应管资料下载。
2022-02-16 14:52:580 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 （“东芝
2022-03-18 17:35:264581 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中
2022-04-01 09:12:422802 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3610906 如今，市场对于高效率电源的需求日益增涨，在此背景下，东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”，推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092 Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:452676 优越的电气参数，呈现出最佳效能 强茂新推4颗封装于TO-252AA的600V功率FREDs，以拓展LowVF系列和LowTrr的产品线；此功率FRED的LowVF系列适用于DCMPCF威廉希尔官方网站
2023-03-06 11:56:27180 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
2023-03-31 10:05:32727 MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
电子发烧友网站提供《600-650 V MDmesh DM9：快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:09:541 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
2023-08-22 11:03:21557 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品已于8月17日开始支持批量出货。
2023-08-24 11:19:10600 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空调、空气净化器和泵等直流无刷电机驱动应用。
2023-10-27 11:05:54657 
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41977 
东芝电子元件及存储装置株式会社（以下简称“东芝”）近日宣布，其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源，展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 （Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）威廉希尔官方网站
中
2023-08-21 10:49:56
电子发烧友App
工商网监
评论