电流驱动电流检测威廉希尔官方网站

关键词： 电流驱动 , 电流检测 , 电流源

作者：安森美半导体应用经理Jerry Steele

在此介绍的基于运放的电流检测威廉希尔官方网站 并不新鲜，它的应用已有些时日，但很少有关于威廉希尔官方网站 本身的讨论。在相关应用中它被非正式地命名为“电流驱动”威廉希尔官方网站 ，所以我们现在也这样说。让我们首先探究其基本概念，它是一个运算放大器和MOSFET电流源(注意，如果您不介意基极电流会导致1%左右的误差，也可以使用双极晶体管) 。图1A显示了一个基本的运算放大器电流源威廉希尔官方网站 。把它垂直翻转，这样我们可在图1B中做高边电流检测，在图1C中重新绘制，来描绘我们将如何使用分流电压作为输入电压，图1D是最终的威廉希尔官方网站 。

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A. 运放电流源                B. 垂直翻转        C. 用分流电压作为输入        D. 分流电阻成为输入电压源
图1. 此图描述了从基本运算放大器电流源转换为具有电流输出的高边电流检测放大器。

图2显示了威廉希尔官方网站 电源电压低于运算放大器的额定电源电压。在电压-电流转换中添加一个负载电阻，记住您现在有一个高阻抗输出，如果您想要最简单的方案，这样可能就行了。

基本威廉希尔官方网站

图2显示了实施高边电流检测的基本的完整的威廉希尔官方网站 。需要考虑的细节有：
•        运放必须是轨对轨输入，或有一个包括正供电轨的共模电压范围。零漂移运算放大器可实现最小偏移量。但请记住，即使使用零漂移轨对轨运放，在较高的共模范围内运行通常不利于实现最低偏移。
•        MOSFET漏极处的输出节点由于正电压的摆动而受到限制，其幅度小于分流电源轨或小于共模电压。增加增益缓冲器可以降低该节点处电压摆幅的要求。
•        该威廉希尔官方网站 在死区短路时不具备低边检测或电流检测所需的零伏特共模电压能力。在图2的威廉希尔官方网站 中，最大共模电压等于运算放大器的最大额定电源电压。
•        该威廉希尔官方网站 是单向的，只能测量一个方向的电流
•        增益精度是RIN和RGAIN公差的直接函数。非常高的增益精度是可能的。
•        共模抑制比(CMRR)一般由放大器的共模抑制能力决定。MOSFET也对CMRR有影响，漏电的或其他劣质的MOSFET可降低CMRR。

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图2. 最简单的方法是使用电源电压额定值内的运算放大器。这被配置为增益50。增益通过RGAIN/RIN设定。

性能优化

一个完全缓冲的输出总是比图2的高阻抗输出要灵活得多，并且在缓冲器中提供2的轻微增益，可降低第一级和MOSFET的动态范围要求。

在图3中，我们还添加了支持双向电流检测的威廉希尔官方网站 。这里的概念是使用电流源威廉希尔官方网站 (还记得图1A吗？)与U1非逆变输入的输入电阻(RIN 2)一起，等于RIN(在这种情况下为RIN 1)。然后这个电阻器产生一个抵消输出的压降，以适应必要的双向输出摆动。从REF引脚到整个威廉希尔官方网站 输出的增益基于RGAIN/ROS的关系，使得REF输入可以被配置为提供单位增益，而不考虑通过RGAIN/RIN设置的增益(只要RIN 1和RIN 2是相同的值)，从而像传统的差分放大器参考输入：

VREFOUT = VREF * (RGAIN/ROS) * ABUFFER
(其中ABUFFER是缓冲增益)

注意，在所有后续威廉希尔官方网站 中，双向威廉希尔官方网站 是可选的，对于单向威廉希尔官方网站 可以省略。

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