Everspin提供256Mb MRAM样品,写入速度比NAND闪存快万倍

和RAM一样快的永久存储被广泛认为会使服务器和存储行业摆脱一年或三年的换代周期，而这个改变如今随着美国公司Everspin开始提供256Mb磁阻式随机存取存储器(MRAM)样品更近了一步。

Everspin 称该产品为转矩MRAM(ST-MRAM)，它是第三代产品——2012年第一代芯片出现，比NAND闪存速度快500倍，但只能容纳64 Mbit的 数据。MRAM类似DDR3或DDDR4 RAM，但MRAM为非易失性——通电时数据不会消失——同时还比闪存快。硬件行业的所有相关人士都在致力于某些类似MRAM的产品上，因为真正快速地永久存储实在有太多好的用途。

Everspin是目前唯一一家出售此类产品的公司，但直到现在也是在64MB chunk(组块)以内。一个DIMM插槽仅用作64Mb容量存储自然不能让MRAM成为主流。Everspin称它还希望在年底出1GB MRAM产品。

这个DDR接口又快又漂亮——DDR4 RAM可达19,000 MB/s——而Everspin宣称其写入速度比NAND闪存快10,000倍。

当然，在这个芯片成为主流选项之前还有一系列问题，从服务器制造商需要适应MRAM以便机器操作系统能够让MRAM工作开始，然后要了解虽然位于DIMM接口内，它也是一个永久存储层。IBM开始亮出了一款针对Power8系统的驱动器，Everspin也表示正在和其它服务器制造商交流中。距离盒子的到来不远了。

密度是另一个要担心的问题——服务器只能有很多DIMM，并且这类应用程序类似快速存储和许多内存。Everspin表示它一直致力于6GB MRAM，该产品有助于密度，对将要接受的挑战表现地自信满满。

然后是成本。Everspin没有透露这款256Mb产品的明确价位，只说对比为了强化服务器而保持RAM通电的成本那是极具竞争性的。

除此之外，该公司还认为从长远来看它还会有成本弥补，因为它的MRAM被制造成300纳米的晶圆，是一个具有成本效益的进程。