纳微半导体发布第三代快速碳化硅MOSFETs
纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs产品系列，包括650V和1200V两大规格。
这一系列产品在设计和制造上均进行了重大优化，旨在为用户提供最快的开关速度、最高的效率以及增进的功率密度。这些特点使得G3F系列MOSFETs成为AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）等高端应用的理想选择。
据了解，G3F系列MOSFETs产品覆盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，体现了纳微半导体在产品设计上的全面性和灵活性。同时，该系列产品专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计，能够在各种复杂环境下稳定运行，确保系统的长期可靠性。
纳微半导体的这一创新之举，无疑将推动碳化硅MOSFETs技术的进一步发展，为相关行业带来更加高效、可靠的解决方案。同时，这也展示了纳微半导体在功率半导体领域的深厚实力和不断创新的决心。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
功率半导体
+关注
关注
22文章
1154浏览量
42964 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2755浏览量
49034 -
纳微半导体
+关注
关注
7文章
128浏览量
20002
发布评论请先 登录
相关推荐
第三代宽禁带半导体:碳化硅和氮化镓介绍
第三代宽禁带功率半导体在高温、高频、高耐压等方面的优势，且它们在电力电子系统和电动汽车等领域中有着重要应用。本文对其进行简单介绍。 以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物
纳微半导体第三代快速碳化硅获AEC Q101车规认证
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布推出符合车规认证的D2PAK-7L (TO-263-7)和标贴TOLL封装的第三代快速
纳微正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布
一、二、三代半导体的区别
在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三
发表于 04-18 10:18
•3048次阅读
总投资32.7亿！第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用
2月27日，第三代半导体碳化硅材料生产基地在宝安区启用，由深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）建设运营，预计今年衬底和外延产能达25万片
深圳第三代半导体碳化硅材料生产基地启用
总计投资32.7亿元人民币的第三代半导体碳化硅材料生产基地是中共广东省委和深圳市委重点关注的项目之一，同时也是深圳全球招商大会的重点签约项目。
碳化硅外延设备企业纳设智能开启上市辅导
证监会近日公告显示，深圳市纳设智能装备股份有限公司（简称“纳设智能”）已正式开启首次公开发行股票并上市的辅导备案程序。该公司专注于第三代半导体碳化硅
SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
第三代半导体碳化硅（SiC）行业研究报告：市场空间、未来展望、产业链深度梳理
为首的第三代半导体材料在这一趋势下逐渐从科研走向产业化，并成为替代部分硅基功率器件的明确趋势。然而，目前行业仍存在一些挑战和改进的空间。未来需要对产业链各环节进行
半导体碳化硅(SiC)行业研究
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求，以碳化硅、氮化镓为
2023年第三代半导体融资超62起，碳化硅器件及材料成投资焦点
。 第三代半导体是以碳化硅、氮化镓等为代表的宽禁带半导体材料。某机构数据显示，2022年，国内有超26家碳化硅企业拿到融资。而根据电子发
工商网监
评论