高精度与高可靠性:村田MEMS传感器全解读

MEMS产品早在1980年就已经存在了，与使用了CMOS工艺的一般半导体相比，因为晶圆制成非常复杂，包装也很耗功夫，使得工程标准化和低成本变得十分困难，所以只应用于限定用途。但是，最近确定了批量生产小型、高性能的MEMS产品的技术，除了汽车发动机控制、医疗器械、喷墨打印机这些常用用途，数码相机和智能手机这写 随身携带的电子产品里也使用了很多的MEMS产品。MEMS产品今后将持续每年10-15%的增长率，并可预测在2017年的时候将从现在的9200亿日元增长到17000亿日元。（Yole Development公司预测）

株式会社村田制作所在2012年1月份收购了芬兰的MEMS专业生产商VTI，VTI改名为Murata Electronics Oy，成为了村田的一员。Murata Electronics Oy运用了独特的3D-MEMS（三维MEMS）技术向市场提供了高性能以及高可靠性的MEMS传感器。

村田制作所的MEMS传感器

所有东西的运动都是X、Y、Z轴平行的运动和围绕轴的旋转运动，共表现为6个运动组合。

村田制作所制作了平行运动（平移加速度）传感的加速度传感器、旋转运动（角速度）传感的陀螺仪产品系列，应用于依赖高精度运动传感和高可靠性的特征的汽车、轮船的姿态控制、产业用装置的倾斜测定、医疗用途等等。

此次特辑将介绍生产具有高精度、高可靠性的传感器的独特技术的3D-MEMS和同时兼具高精度和高可靠性的加速度传感器以及陀螺仪的特征。

3D-MEMS技术

使用了3D-MEMS技术的元件示例说明（图1）。MEMS元件是由可移动部构成的硅晶片和夹在部上下用于结合、密封的CAP晶圆构成。可移动部的纺锤和梳型电极框架用弹簧支撑、纺锤和梳型电极的运动通过CAP晶圆间或者梳型电极之间的电容值的变化来进行检测。村田制作所将凝聚了实现了高精准度检测的3D-NEMS技术的平台扩大到所有产品中，使得有可能为具有稳定性和高信赖性的传感器提供一个合理的价格。一下介绍3D-MEMS技术的强大特征。

实现高度绝缘、低寄生电容的独特的VIA结构

从MEMS结构部分的引出电极最早作为VIA结构进行量产。硅形成的引出电极的间为玻璃绝缘的独特VIA结构，同时实现了电极间的高绝缘电阻和低寄生容量、为传感器的高精度化、高稳定性、低消耗电流的实现做出了巨大的贡献。此外，在任何场所都可能实现电极导出的VIA的结构，为允许元件的设计自由度和元件的小型化做出了贡献。

高精度的空间控制技术创造出高感度和小型化

3D-MEMS结构的另一个重点是，可移动部两者间形成2.5µm的狭小空间、使高精度的容量测量成为可能。通过高精度的抛光蚀刻技术，实现了达到极限的增高的晶圆的平坦性和后述的高精度的晶圆结合技术。这个技术可高精度检测出移动部的上下方向移动，为元件的高性能化和小型化做出贡献。

实现高可靠性的原子级密封

可移动部和CAP晶圆通过玻璃和硅的阳极结合或者硅和氧化硅的直接结合在晶圆级结合。无论哪种接合，都是为了加强固定原子之间的接合，为纺锤运动空间的空气密封以及高可靠性做出了贡献。另外，一般的晶圆接合中，以元件为单位的接合不良情况时有发生，我公司运用多种方式对所有产品进行严格检查，只有合格的产品才可出货。

图1：3D-MEMS技术特征

高精度、高可靠性是MEMS结构设计中一贯彻底坚持的。下面将列举加速度传感器和陀螺仪的设计，并且介绍其中的一部分。