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你好，
我正在设计一个16或32个FRAM（SPI）设备的存储器阵列，用于电池操作的数据表，用于远程户外位置。我已经查阅了CY15B104Q（512K×8）数据表中的直流特性，特别是I/O电压阈值、IOH、IOL和ILI图。从这些图中可以构造32个器件的阵列。每个器件都有单独/CS，所以只有一个器件是有源的，其余的是三态的。我真正关心的是在6x32＝192pf+板布局电容的区域中的输入电容。关于这一点。非常感谢你的帮助。 
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4个回答
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嗨，Deepak，
这将不是一个问题，关于驱动I/O总线与200 PF负载。这种拓扑结构只会影响信号上升时间/下降时间，这在一定程度上会影响设置的工作频率。 例如，如果设备的上升时间（10%至90%）与30 PF STDTEST负载措施3S NS，那么上升时间为210 pF负载将是7X的30pF负载，这将是21ns。同样地，下降时间约为15B104Q器件上升时间的60%～70%（取决于上拉/下拉晶体管的驱动强度）。因此，MIN SPI时钟周期应计算为21ns（Tr）+ 11 ns（TCH）+ 11 ns（TCL）+ 14 ns（TF）＝57 ns最小或17.5 MHz（max）时钟。为主机控制器输入信号添加MInStand和保持时间要求，SPI时钟频率将进一步降低。 由于对于CY15B104Q的SPI时钟频率没有最小的限制，只要DeVICEPENS保留在数据表限制内，这种配置是非常可行的。希望这澄清。如果你有任何问题，请告诉我。 最好的问候， 什文德拉 |
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嗨，Shivendra
谢谢你提供了丰富的信息和完整的答案。当我看这个问题的时候，我不确定是否要假设我早就把30pF负载图外推了。我理解这个解释，我唯一不确定的是14NS（TF）-这到底代表什么？我现在还考虑在所有控制线（SI，SOD和SCK）上使用低功率施密特缓冲器，从ATMEGA256A3U处理器。 |
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你好，
TF是由于信号总线上的负载电容而受到的影响。使用施密特触发器输入缓冲器是一个好主意。这将消除由于重型总线负载引起的任何开关噪声，从而避免任何误触发。 如果你有任何进一步的询问，请告诉我。 最好的问候， 什文德拉 + 1（719）-32 1-9056；ZSK@ CyPress |
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嗨，Shivendra，
是的，这是合理的。总的迹线长度现在是SCK板上的222mm和类似的Si长度（Smits缓冲），并将这些信号线看作传输线。我也在寻找终止方法。并行和戴维南方法是好的和简单的，但因为MyDead是电池供电的AC方法看起来很有吸引力。缺点是在已经加载的总线上增加额外的电容，不可避免地腐蚀上升和下降时间-这取决于终止电容值。读取AC终止方法的文本建议电容器的最小有效值为50pF。因此，我几乎不太可能达到最初的20MHZDead目标。 |
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