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这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器，其测量范围为0～1000V，可满足一般测量要求。 1.威廉希尔官方网站
原理 晶体管反向击穿电压测试器的威廉希尔官方网站
如下图所示。
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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
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