在电子镇流器、电子调光等威廉希尔官方网站
中时常可以见到双向触发二极管元件。双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的,常用来触发双向晶闸管。
双向触发二极管的结构、符号、等效威廉希尔官方网站
及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件,等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称。
当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时,呈高阻态;当 U》Ubo 时进入负阻区。同样,当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时,管子也能进入负阻区。
转折电压的对称性用△Ub表示
△Ub=Ubo-|Ubr|
一般要求 △Ub
双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外,还常用在过压保护、定时、移相等威廉希尔官方网站
,图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护威廉希尔官方网站
。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时,DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。
双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在威廉希尔官方网站
中作过压保护等用途。
图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效威廉希尔官方网站
,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。
双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称(见图5)。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时,器件呈高阻态。当U》V(B0)时,管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时,管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级:20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V,可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管,表针均应不动(RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏,并能提供大于250V的直流电压的电源,检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有,可用兆欧表按图6所示进行测量(正、反各一次),电压大的一次V(BR)。例如:测一只DB3型二极管,第一次为27.5V,反向后再测为28V,则△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V《2V,表明该管对称性很好。
图7是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光威廉希尔官方网站
。通过调节电位器R2,可以改变双向可控硅的导通角,从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。
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在双向可控硅加散热器的情况下,可控负载功率可达500W,各元件参数见图所标注。
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当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时,呈高阻态;当 U》Ubo 时进入负阻区。同样,当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时,管子也能进入负阻区。
转折电压的对称性用△Ub表示
△Ub=Ubo-|Ubr|
一般要求 △Ub
双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外,还常用在过压保护、定时、移相等威廉希尔官方网站
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双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称(见图5)。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时,器件呈高阻态。当U》V(B0)时,管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时,管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级:20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V,可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管,表针均应不动(RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏,并能提供大于250V的直流电压的电源,检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有,可用兆欧表按图6所示进行测量(正、反各一次),电压大的一次V(BR)。例如:测一只DB3型二极管,第一次为27.5V,反向后再测为28V,则△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V《2V,表明该管对称性很好。
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。通过调节电位器R2,可以改变双向可控硅的导通角,从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。
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