清洁 - 表面问题：
金属污染的起源：来源：设备、工艺、材料和人力，Si表面的过渡金属沉淀是关键。
去污：可以对一些暴露于碱或其他金属污染物的基材进行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。这通常在硅的 KOH 蚀刻之后完成。在去污之后，晶片被认为是“干净的”。
去污包括：1.浸入 5:1:1 H2O:H2O2:HCl 中 20 分钟（在 wbsilicide 中完成 - 水槽必须在之后净化。）2.过程通过标准食人鱼电阻条在 非金属3.过标准预扩散或预深度清洁处理。
实验室政策 - 清洁度等级：
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