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由于它们较高的开关速度和更加简便的驱动特性,MOSFET已经取代了很多应用与功率级中的双极性结型晶体管 (BJT)。然而,对于基于反激式的低功率AC/DC充电器等应用,相对MOSFET,BJT具有某些明显的优势。由于它们不同的器件结构,高压BJT的制造成本要低于高压MOSFET。正因如此,额定电压在1kV或者以上的BJT的价格要低于通用输入离线反激式转换器中常见的600V或650V MOSFET。优势是显而易见的。由于BJT具有较高的电压额定值,泄露尖峰会高出几百伏特,不过仍然处于所要求的开关降额设计范围内。根据尖峰的幅度不同,常常有可能在不使开关过压的情况下完全移除缓冲器。移除缓冲器优点:减少了物料清单 (BOM) 上的组件数量,从而实现一个更小、成本有效性更高的解决方案。更为重要的一点是,你可以移除缓冲器二极管,而这通常是一个600V的部件…
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