由于它们较高的开关速度和更加简便的驱动特性，MOSFET已经取代了很多应用与功率级中的双极性结型晶体管 (BJT)。然而，对于基于反激式的低功率AC/DC充电器等应用，相对MOSFET，BJT具有某些明显的优势。由于它们不同的器件结构，高压BJT的制造成本要低于高压MOSFET。正因如此，额定电压在1kV或者以上的BJT的价格要低于通用输入离线反激式转换器中常见的600V或650V MOSFET。优势是显而易见的。由于BJT具有较高的电压额定值，泄露尖峰会高出几百伏特，不过仍然处于所要求的开关降额设计范围内。根据尖峰的幅度不同，常常有可能在不使开关过压的情况下完全移除缓冲器。移除缓冲器优点：减少了物料清单 (BOM) 上的组件数量，从而实现一个更小、成本有效性更高的解决方案。更为重要的一点是，你可以移除缓冲器二极管，而这通常是一个600V的部件…
