Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同类产品中拥有出色的稳健性、易用性和高效率

英国剑桥 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化镓 HEMT H2 系列产品，该器件具备业界领先的稳健性、易用性，可实现历史最高效率。H2 系列 ICeGaN HEMT 采用 CGD 智能栅极接口，该接口几乎消除了典型 e-mode GaN 的弱点，过压稳健性显著提高，可提供更高的噪声抗扰阈值，实现 dV/dt 抑制和 ESD 保护。与上一代器件相同，新型 650 V H2 ICeGaN 晶体管的驱动方式与 Si MOSFET 类似，无需复杂低效的威廉希尔官方网站 ，而是采用商用工业栅极驱动器。最后，与硅器件相比，H2 ICeGaN HEMT 的 QG 低 10 倍，QOSS 低 5 倍，这使得 H2 ICeGaN HEMT 在高开关频率下能大幅降低开关损耗，并缩小尺寸，减轻重量。基于这些优势，该产品在同类产品中具备领先的效率性能，并且与 SMPS 应用中业界出色的 Si MOSFET 相比，其性能提升了 2%。

 
ICeGaN H2 系列采用创新 NL3（空载和轻载）威廉希尔官方网站 ，与 GaN 开关一同集成在片上，功耗创历史新低。采用（片上）集成米勒钳位的先进箝位结构，无需负栅极电压，可实现真正的零电压关断，并提高动态 RDS(ON) 性能。这些 e-mode（常关）单芯片 GaN HEMT 包含单片集成接口和保护威廉希尔官方网站 ，因此具备卓越的栅极可靠性，并且可以简化设计。最后，电流检测功能可降低功耗，并允许直接接地，以优化散热和 EMI 性能。
 

关于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂半导体公司，由来自剑桥大学的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于 2016 年创立，旨在探索功率器件的革命性技术。公司的使命是通过高效易用的 GaN 解决方案为日常生活带来创新体验。CGD 从事 GaN 晶体管和 IC 的设计、开发及商业化，从根本上改进器件能效和尺寸，并使其适合量产。CGD 拥有领先的创新技能和宏图大志，不断扩大知识产权组合，为 ICeGaN™ 技术奠定了强大的基础。除了数百万的种子基金，以及 A 轮融资和现在的 B 轮私人融资，CGD 目前已有四个项目成功获得 iUK、BEIS 和 EU (Penta) 的资助。CGD 团队拥有深厚的技术和商业专业知识，在电力电子市场备受认可，拥有良好的业界口碑，促使公司的专利技术在初期便受到市场青睐。