芯片测试与失效分析
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Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)

Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时,用电子束对样品断面(剖面)进行观察,亦可进行EDX的成份分析。
iST宜特检测具备超高分辨率的离子束及电子束的Dual Beam FIB,能针对样品中的微细结构进行奈米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA,快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间。
应用范围:
半导体组件失效分析(能力可达14nm高阶制程)半导体生产线制程异常分析磊晶与薄膜结构分析电位对比测试穿透式电子显微镜试片制作奈米级结构制作

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