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电子发烧友网>模拟技术>SiC-MOSFET体二极管的特性说明

SiC-MOSFET体二极管的特性说明

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2021-12-21 11:16:32

罗姆成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一化封装

低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12

肖克利二极管结构原理是什么?有什么特性

肖克利二极管有什么特性?肖克利二极管结构原理是什么?肖克利二极管的用途有哪些?
2021-06-08 06:29:37

肖特基二极管与稳压二极管的区别是什么呢?

肖特基二极管正向导通电压很低,只有0.4V,反向在击穿电压之前不会导通,起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通一样约为0.7V,反向状态下在临界电压之前截止,在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08

肖特基二极管的优缺点有哪些?

突破性的进展,150V和 200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。肖特基二极管缺点:肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电
2021-09-09 15:19:01

肖特基二极管的分类

二极管特性通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子威廉希尔官方网站 中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当
2016-03-22 14:55:18

设计中使用的电源IC:专为SiC-MOSFET优化

输入动作禁止功能)、过流保护、次侧电压过压保护等。在高耐压应用中,与Si-MOSFET相比,SiC-MOSFET具有开关损耗及传导损耗少、温度带来的特性波动小的优点。这些优点有利于解决近年来的重要课题
2018-11-27 16:54:24

请问二极管的伏安特性

请问我们是否可以根据二极管的伏安特性曲线图,来计算该二极管在某一电压下的电阻呢?我感觉好像不行,可是R=U/I,难道是有条件的使用公式吗?能说说理由吗?
2017-05-18 09:53:48

请问现在使用的二极管都尽量使用快速恢复二极管吗?

我发现现在大家在选型这个二极管的时候,一般都是采用那种快恢复的二极管,有些场合明明不需要高速的快恢复二极管,但是大家也一样的采用了,看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了?
2019-05-16 00:12:23

请问贴片电阻,贴片电容,贴片二极管,稳压二极管,MOSMOSFET和封装形式有那些呢?

请问贴片电阻,贴片电容,贴片二极管,稳压二极管,MOSMOSFET和封装形式有那些呢?请一一说明,谢谢各们大师哦!!!
2020-11-13 14:54:46

降低二极管的有效正向电压

简单的NPN二极管连接反向击穿特性降低二极管的有效正向电压VBE 乘法器威廉希尔官方网站
2021-01-11 07:16:39

隧道二极管特性

偏压(没有大到克服势垒)就能使载流子具有足够的能量可以通过耗尽层。这种情形叫作载流子穿透势垒的隧道效应。隧道二极管就是利用这种特性制成的。(a)隧道二极管的威廉希尔官方网站 符号;(b)等效威廉希尔官方网站 ;(c)伏安特性曲线隧
2018-01-23 11:51:47

静电二极管器件有哪些分类?

的不同。这种电压范围决定了ESD器件能保护的威廉希尔官方网站 节点类型。双向ESD静电二极管具有相对于零伏电压的对称特性。双向ESD器件最适合保护电压基于零伏对称或双向的威廉希尔官方网站 节点。单向ESD二极管产品具有相对零伏
2022-06-08 17:06:58

SiC-MOSFET的体二极管特性

如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲,体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说,体二极管的性能是重要的参数之一,在应用中使用时,其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315

探究快速开关应用中SiC MOSFET二极管的关断特性

SiC MOSFET二极管的关断特性与IGBT威廉希尔官方网站 中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN
2023-01-04 10:02:071115

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