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深入解析MOS管的判别与导通条件
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MOS管的导通条件 MOS管的导通过程
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
2024-03-14 15:47:38
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MOS管导通电阻问题
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
MOS管导通问题，关于Vds电压得下线
（电阻有误，请忽视大小，20K那个应该是10R左右）如图所示威廉希尔官方网站
，VD电压在0.7V-0.3V之间，这种情况下，MOS管在开关按下时，能导通实现把这个0.7-0.3的电压下拉嘛？
补充内容 (2018-6-22 09:45):
图上的那个MOS管型号实际为cj2302，导通电阻在50-80mR之间
2018-06-21 16:29:35
MOS管三个极与寄生二极管方向的判定
)时导通 总之，导通条件：|Ugs|>|Ugs(th)|5. 从MOS管实物识别管脚无论是NMOS还是PMOS 按上图方向摆正，中间的一脚为D，左边为G，右边为S。 或者这么记：单独的一脚为D
2023-02-10 16:17:02
MOS管为何没导通负载端还有电压？
MOS管是N沟道si2302，用人体感应模块3.3V电压控制栅极，负载电流260ma，导通后负载电压11.3V。MOS管在没有导通的情况下，测得负载端电压5.3V，电流0，漏极跟栅极和源极分别有6.6V电压。为何没导通负载端还有电压，这正常吗
2021-08-26 08:33:43
MOS管主要参数
下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 ·一般在十分之几至几mA/V的范围内6. 导通电
2012-08-15 21:08:49
MOS管并联是什么意思
一、MOS管并联理论：(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。MOS管的这一特性适合并联威廉希尔官方网站
中
2021-10-29 07:04:37
MOS管开关怎么用
【1】NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高）【2】PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5
2021-10-29 06:32:13
MOS管开关威廉希尔官方网站 导通的问题
电压是怎么来得？按理三极管不通，这电阻上应该没有回路啊！还有就是当MOS管导通时，VB基本等于VB1（VB1比VB小0.1V左右），请问为什么导通后电压是小0.1v，而不是一直经过二极管从2到3脚，也就是还是像没导通时一样VB1比VB小一个二极管的压降呢？请问高手这个威廉希尔官方网站
这样用的目的是什么呢？
2018-11-30 10:36:38
MOS管开关威廉希尔官方网站 特性及判断使用-KIA MOS管
数字威廉希尔官方网站
中MOS管常被用来作开关管，所以被广泛应用在需要电子开关的威廉希尔官方网站
中，根据构成和导通特性可分为四类MOS管：g被称为栅极，d为漏极，s为源极，B为衬底，在实际生产中，衬底与源极相连，所以MOS管
2019-01-28 15:44:35
MOS管漏源极导通的原因是什么？
普通N MOS管给栅极一个高电压 ，漏极一个低电压，漏源极就能导通。这个GS之间加了背靠背的稳压管，给栅极一个4-10V的电压，漏源极不能导通。是不是要大于栅源击穿电压VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
MOS管威廉希尔官方网站 逻辑及MOS管参数
和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导。gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数。一般在十分之几至几mA/V的范围内。 6.导通电阻RON 导通电阻RON说明
2018-11-20 14:06:31
MOS管威廉希尔官方网站 逻辑及MOS管参数
（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS ID剧增的原因有下列两个方面： （1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿 （2）漏源极间的穿通击穿 有些MOS管中，其
2018-11-20 14:10:23
MOS管的应用及导通特性和应用驱动威廉希尔官方网站 的总结。
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动威廉希尔官方网站
的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑
2012-12-18 15:37:14
MOS管的应用及导通特性和应用驱动威廉希尔官方网站 的总结。
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动威廉希尔官方网站
的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的威廉希尔官方网站
也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2012-11-12 15:40:55
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原理，请看下图：NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为510V（G电位比S电位高）；而PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5...
2021-10-28 08:37:47
MOS管的栅极电流怎么估算
张飞电子第四部，MOS管不像三极管的BE有固定压降，所以不知道怎么计算。运放那边输出开路时，MOS管导通，具体是怎么工作的。1、刚开始，三极管基极电流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估计
2021-04-27 12:03:09
MOS管种类和结构
` 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动威廉希尔官方网站
的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的威廉希尔官方网站
也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为
2019-02-14 11:35:54
MOS管种类和结构你知道多少
型号，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动
2021-01-11 20:12:24
MOS管问题，请问MOS是如何导通的呢？
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2018-05-31 19:41:07
MOS管防止电源反接的使用技巧
导通，所以 S 的电位大概就是 0.6V，而 G 极的电位，是 VBAT，VBAT-0.6V 大于 UGS 的阀值开启电压，MOS 管的 DS 就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了，压降
2020-11-16 09:22:50
MOS管驱动波形和导通波形不对 ，还有尖峰
`到驱动波形Vgs关闭的时候Vds仍然导通导致，没有死区时间 下面是波形 我母线通电30V电压来测试的CH1是Vgs导通波形 CH2是 Vds波形中间有一段VGS下降了 MOS管还导通这是测两个低端MOS管Vds的波形 没有死区时间 另外我的尖峰脉冲是不是太高了 我上电300V的话会炸管吗`
2017-08-02 15:41:19
MOS管驱动威廉希尔官方网站 总结
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动威廉希尔官方网站
的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的威廉希尔官方网站
也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计
2011-11-07 15:56:56
MOS开关管的选择及原理应用
`一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得
2019-07-05 08:00:00
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一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得
2019-07-03 07:00:00
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N型MOS管使用疑惑
，单片机io口能导通。第一个mos管导通后第二个mos管导通不了。第一个mos管不导通第二个导通，第二个导通后由于没有接地，源极d和漏极s电压都等于vin大于15v，这个时候vgs
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做了一个开关威廉希尔官方网站
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2014-06-13 17:00:10
PWM控制IGBT和MOSFET的工作原理
的栅极g，高电平时栅极电位高与源极5v就导通了；低电平时栅极电位也为低电平不满足mos管导通条件，则关断转载自电子发烧友网`
2012-07-09 15:27:32
三极管
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目前现象是可以产生5A电流充电，但Vinfet比Vdcin小，导致MOS管没有进行低阻抗导通，比较热，请问有关INFET管脚正常工作的设置条件（威廉希尔官方网站
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2024-01-05 07:24:28
全面解析MOS管特性、驱动和应用威廉希尔官方网站
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关于mos管导通问题
以上为三极管与mos管组合控制威廉希尔官方网站
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2018-09-11 15:19:56
利用NMOS管和PMOS管做开关控制威廉希尔官方网站
1 MOS管导通截止原理NMOS管的主回路电流方向为D—>S，导通条件为VGS有一定的压差，如 5V（G电位比S电位高）。PMOS管的主回路电流方向为S—>D，导通条件为
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合适的mos管和外围威廉希尔官方网站
两个mos管，第一个MOS管栅极接单片机io口，通过io口控制通断继而控制第二个mos管通断，开关频率要求不高，对开关时间和导通电阻有要求，开关时间和导通电阻都要尽可能小，有没有推荐的威廉希尔官方网站
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也许
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