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你好。
我正在研究StureRay-DATA孔闪存，但我注意到它存在一些问题。 如果我不检查闪存中的固件MEM区域和StureDATA地址，它们会对每个东西进行处理。 我搜索了一些文章关于如何将数据存储到闪存或其他地方POSC。 我发现它仿效模拟EEPROM EEPROM器件的存储器中。 所以我想我的项目，但我找不到模拟EEPROM器件在PSoC Creator usingpsoc4ble。 当我用PSoC4进行PREJECT时，我发现了这个组件。 PSoC4不支持仿真EEPROMENT组件吗？ 谢谢。 
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7个回答
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EMEEPROM组件需要改变一些PSOC4 BLE时钟才能正常工作，因此它被从PSoC4组件中移除。
对于闪存阵列，大小和位置有一些定义，所以最好是使用一些最上面的区域来存储一行用户数据。“系统参考指南”（从Creator的帮助菜单）将显示更多。 鲍勃 |
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如果你想在flash中写入数据，你需要在blecomponent表阅读以下注意事项：
BLE设备与128 K的闪存，闪存写修改芯片的IMO暂时到48兆赫在写周期。因此，你应该只执行键数据闪存而BLE设备断开，因为在国际海事组织的变化会破坏通信。同样，你应该暂时停止所有外围设备运行了IMO或补偿在闪光频率变化的简要写周期。如果128 K Flash存储器的装置，被配置为运行在48兆赫，然后IMO不改变，不影响其他外设。然而，闪存的写是一个阻塞调用和可能破坏BLE通信。因此，明智的做法是进行闪光同时设备断开写。 我做了一些测试的过程（CYBL10563-56LQXI）。 1）复制em_eeprom。C。H从ce95313实例代码，我的项目。如果我们的项目不叫cyble_start()，的em_eeprom_write()可以将数据存储到闪存。但如果项目称cyble_start()，em_eeprom_write()无法将数据存储到闪存。返回代码仍然是成功的。 2）调用cyble_storeappdata()还可以将数据存储到闪存。（我有128K闪存芯片，所以我的48mhz IMO在我的项目。） |
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Hichangkun
我和你有同样的问题。如果我callcyble_start()项目中，em_eeprom_write()无法将数据存储到闪存。返回代码仍然是成功的。 但是我usedcyble_storeappdata() API，很好。我以前不知道这个功能，谢谢回答：） |
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读回很容易：
UIT88MyDATA＝0x1fMAM//32位指针。地址取决于设备/闪存量 TestBythy= * MyDATA + 27； 写作需要计算闪排数取决于行的大小和FLASH的大小。你应该用上闪光区留下你的程序代码不变。 你不能写3字节到FLASH，最小是闪存行。出路是读到缓冲区中的行，改变你的3个字节的值写回行。 看看进入“系统cy_boot参考指南”，8章为Flash相关的常量和API。 鲍勃 |
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