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电子发烧友网>今日头条>《炬丰科技-半导体工艺》III-V的光子学特性

《炬丰科技-半导体工艺》III-V的光子学特性

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2021-03-19 17:07:23111

《炬丰科技-半导体工艺III-V集成光子的制备

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:III-V集成光子的制备 编号:JFKJ-21-212 作者:炬丰科技 摘要   本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件, 这项工作涵盖
2023-04-19 10:04:00130

《炬丰科技-半导体工艺III-V族化学-机械抛光工艺开发

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:III-V族化学-机械抛光工艺开发 编号:JFKJ-21-214 作者:炬丰科技 摘要   III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术
2023-04-18 10:05:00151

《炬丰科技-半导体工艺》硅光子集成芯片的耦合策略

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:硅光子集成芯片的耦合策略编号:JFKJ-21-545作者:炬丰科技摘要硅光子学最有吸引力的一个方面是它能够提供极小的光学元件,其典型尺寸比光纤器件的尺寸小一个数
2021-12-17 18:41:4513

高塔半导体联合瞻博网络推出全球首个硅光子代工工艺平台

和光隔离器等。 从产业发展的大趋势来看,未来光通信器件将主要以光集成技术(PIC)为核心,其中一大分支技术是基于III-V簇化合物半导体材料的光集成技术。通过硅光子学 (SiPho)技术,业界能够将传统用于CMOS集成威廉希尔官方网站 上的技术经验转移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332029

通过湿法蚀刻分离III-V多结太阳能电池

,这些问题变得更加重要。在本文中,我们提出了一种湿式微沟蚀刻工艺,允许单个太阳能电池的电隔离而不损害侧壁。用溴-甲醇蚀刻,通常用于III-V化合物的非选择性蚀刻的溶液,会在半导体表面形成不必要的蚀孔。我们研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01427

III-V族化学-机械抛光工艺开发

摘要 III-V材料与绝缘子上硅平台的混合集成是一种很有前景的技术。二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯(简称DVS-BCB或BCB)是作为一种技术出现适合在工业规模上实现这样的集成。耦合为这些混合器
2022-02-24 14:02:481357

集成光子制备工艺的研究

摘要 本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件, 这项工作涵盖了一系列III-V材料以及各种各样的设备。 最初,设计,制造和光学表征研究了铝砷化镓波导增强光学非线性
2022-02-24 14:55:40950

半导体材料介绍

半导体。例如,砷化镓(GaAs)是二元III-V化合物,它是第三列的镓(Ga)和第五列的砷(As)的组合。三元化 合物可以由三个不同列的元素形成,例如,碲化汞铟(HgIn 2 Te 4),一种II-III-VI化合物。它们也可以由两列中的元素形成,例如砷化铝镓 (Al xGa 1- xAs),这是
2023-02-27 14:46:243

半导体材料在纳米光子学中的作用

半导体材料在开发纳米光子技术方面发挥着重要作用。
2023-05-14 16:58:55590

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